このページでは JavaScript を使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。
下記より必要な情報をお探しください。

サイトマップ

お問い合わせ

Asia-Pacific - English

Asia-Pacific - 简体中文

Asia-Pacific - 繁體中文

Asia-Pacific - 한국어

Asia-Pacific - 日本語

Americas - English

Europe (EMEA) - English

パッケージ

東芝パッケージ名	2-153A1A
外観
実装区分	表面実装
パッケージ寸法幅×長さ×高さ (mm)	152×62×20.5
パッケージ寸法図	表示
Ultra Librarian^® CADモデル (シンボル/フットプリント/3Dモデル)	UltraLibrarian^®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注1)(注3)
SamacSys CADモデル (シンボル/フットプリント/3Dモデル)	SamacSysからダウンロード (注2)(注3)

詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1	Ultra Librarian^® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian^®によって提供されます。
注2	SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。
注3	フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目	記号	値	単位
ドレイン電流 (DC)	I_D	600	A
ドレイン・ソース間電圧	V_DSS	1200	V
チャネル温度	T_ch	150	℃

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子) (Typ.)	V_DS(on)sense	I_D=600A T_ch=25℃ V_GS=20V	0.9	V
ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子) (Typ.)	V_SD(off)sense	I_S=600A T_ch=25℃ V_GS=-6V	1.6	V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.)	E_on	-	25	mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.)	E_off	-	28	mJ
逆回復損失 (Typ.)	E_rr	-	0.8	mJ

ドキュメント

すべて選択
チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

データシート MG600Q2YMS3 データシート/日本語

PDF: 701KB

2024年08月

データシート MG600Q2YMS3 データシート/英語

PDF: 578KB

2024年08月

シミュレーションモデル LTspiceモデル (注1) ZIP

ZIP: 12KB

2024年12月

NEW シミュレーションモデル PLECSモデル (注2) ZIP

ZIP: 9KB

2025年10月

アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールアプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性

PDF: 1624KB

2024年06月

アプリケーションノート SiC MOSFET モジュール 2-153A1A パッケージアプリケーションノート取り扱い方法

PDF: 1098KB

2024年06月

アプリケーションノート SiC MOSFET モジュールゲートドライブ　アプリケーションノート

PDF: 855KB

2024年06月

アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの信頼性

PDF: 887KB

2024年06月

注1	LTspice ^®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。
注2	PLECS ^®はPlexim, Inc. の登録商標です。

ご注意

各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。
本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。

特長	オールSiC MOSFETタイプ
用途	大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動)
回路構成	2in1
RoHS Compatible Product(s) (#)	適合品あり

ボディエレクトロニクス

xEV

インフォテインメント

先進運転支援システム(ADAS)

シャーシ

インフラ機器

BEMS/HEMS

FA

業務用機器

IoT機器（エッジデバイス）

ヘルスケア機器

ウェアラブル端末

モバイル

PC関連機器

家庭用電化製品

ディスクリート半導体

ダイオード

トランジスター

汎用ロジックIC

アナログデバイス

デジタルデバイス

無線デバイス

SiCパワーデバイス

フォトカプラー

デジタルアイソレーター

ソリッドステートリレー (SSR)

光伝送モジュール

その他専用IC

開発／設計支援

MG600Q2YMS3

製品概要

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

ドキュメント

技術的なお問い合わせ

関連リンク

ご注意