当社は小型パッケージのLDOレギュレーターで低ドロップアウトタイプの「TCR3DMxxAシリーズ」と低消費電流タイプの「TCR3EMxxAシリーズ」を東芝セミコンダクタ・タイ社で量産開始しました。
新製品TCR3DMxxAシリーズは低ドロップアウトタイプのLDOレギュレーターです。また、TCR3EMxxAシリーズは低消費電流タイプのLDOレギュレーターです。両シリーズともコントロール端子しきい値電圧はVCTH=0.8V (min) を実現し、1.2V I/Oに対応可能なため、機器の消費電力の削減に貢献します。
TCR3DMxxAシリーズ、TCR3EMxxAシリーズは、表面実装タイプの小型・低背DFN4Dパッケージを採用しています。また、入力・出力コンデンサーは小型セラミックタイプが使用可能であるため、モバイル機器、ウエアラブル端末など高密度実装が必要な小型機器の電源ラインに適しています。
なお、新製品を活用した 「小型パッケージDFN4D、300mA出力LDOレギュレーターTCR3EMxxA / 3DMxxA / 3LMxxAシリーズ電源回路への応用」 のリファレンスデザインを開発し、当社ウェブサイトに公開しています。
当社は、今後ともTCR3DMxxAシリーズとTCR3EMxxAシリーズを含めたLDOレギュレーターの安定した製品供給に貢献します。
低ドロップアウト電圧: VDO=216mV (typ.) (VOUT=2.5V、IOUT=300mA、Tj=25°C)
ドロップアウト電圧は特定の出力電流における入力電圧と目的の出力電圧との間の規定された最小電位差で、入力電圧が低下し、入出力電位差がドロップアウト電圧以下になると、出力電圧の調整ができなくなります。TCR3DMxxAシリーズは低ドロップアウト電圧製品のため、バッテリー駆動用途でバッテリー電圧が低下しても出力電圧を維持することができます。また、低入力電圧で大電流出力が可能なため、消費電力が低減し、高い電源効率を実現できます。
低消費電流 (低バイアス電流) : IB(ON)=35μA (max) (IOUT=0mA、Vin=5.5V、Tj=25°C)
LDOのバイアス電流とは、LDOが動作状態のときに、LDO内部の制御回路で消費する電流です。
バイアス電流が低いことで回路全体の消費電力を抑えることができ、バッテリーの長寿命化などのメリットがあります。
TCR3EMxxAシリーズはバイアス電流を35μA (max)に抑え、機器全体の低消費電力化と長時間駆動の実現に貢献します。
TCR3DMxxA / 3EMxxAシリーズは、表面実装タイプの小型・低背DFN4Dパッケージを採用しています。また、入力・出力コンデンサーは小型セラミックタイプが使用可能であるため、モバイル機器、ウエアラブル端末など高密度実装が必要な小型機器の電源ラインに適しています。
[注1] ドロップアウト電圧の特性をご参照の上、絶対最大定格の接合温度、および動作温度の範囲内でご使用ください。
[注2] コントロールプルダウン電流 (ICT) は含みません。
[注3] VDO=VIN1- (VOUT1×0.97)
VOUT1はVIN=VOUT+1.0Vの時の出力電圧です。
VIN1は入力電圧を徐々に下げていき、出力電圧がVOUT1の97%に降下した時点での入力電圧値です。
[注4] tr=tf=1.0μs (10%~90%区間を0.8µsと定義しています)
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