MG600Q2YMS3

SiC MOSFETモジュール

製品概要

特長 オールSiC MOSFETタイプ
用途 大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動)
回路構成 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 2-153A1A
実装区分 表面実装

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン電流 (DC) ID 600 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 1200 V
チャネル温度 Tch 150

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) VDS(on)sense ID=600A
Tch=25℃
VGS=20V
0.9 V
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) VSD(off)sense IS=600A
Tch=25℃
VGS=-6V
1.6 V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) Eon - 25 mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) Eoff - 28 mJ
逆回復損失 (Typ.) Err - 0.8 mJ
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2022年08月

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