SSM3K35MFV

小信号MOSFET

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データシート

SSM3K35MFV データシート/日本語[2014年03月]PDF: 261KB

データシート

SSM3K35MFV データシート/英語[2014年03月]PDF: 199KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2014年12月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]mod: 21KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 331KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年03月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2025年03月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 8498KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年12月]PDF: 860KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年12月]PDF: 1133KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

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シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2014年12月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]mod: 21KB

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欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年03月]PDF: 123KB

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製品概要

用途 高速スイッチング / アナログスイッチ
極性 N-ch
世代 π-MOSⅥ
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-723 (VESM)
外観 VESM
JEITA SC-105AA
パッケージコード SOT-723
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 1.2×1.2×0.5
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
Ultra Librarian® CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード<br>(注1)(注3)

UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード
(注1)(注3)
SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 SamacSysからダウンロード<br>(注2)(注3)

SamacSysからダウンロード
(注2)(注3)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1

Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian®によって提供されます。

注2

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

注3

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 20 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-10 V
ドレイン電流 ID 180 mA
許容損失 PD 0.15 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 1.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 0.4 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.2V 20 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.5V 8.0 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 4.0 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 3.0 Ω
入力容量 (Typ.) Ciss - 9.5 pF
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2014年12月

2019年02月

2024年09月

2025年03月

2025年03月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

リファレンスデザイン

過熱監視IC Thermoflagger™ 応用回路 (TCTH021AE / プッシュプル出力タイプ)
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詳細
過熱監視IC Thermoflagger™ 応用回路 (TCTH021BE / オープンドレイン出力タイプ)
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eFuse IC応用回路 (過熱遮断)
eFuse IC応用回路 (過熱遮断) を小型基板に実現。ThermoflaggerTM (過熱監視 IC) と組み合わせて異常発熱を検知し出力を遮断する回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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これは、eFuse IC 応用回路 (過電流保護強化) の画像です。
eFuse IC 応用回路 (過電流保護強化)
eFuse IC応用回路 (過電流保護強化) を小型基板に実現。ThermoflaggerTMを過電流検出デバイスとして使用し、eFuse ICと組み合わせて高精度な過電流遮断を行う回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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