MOSFET
JEITA登録品番シリーズ (例：2SK****/2SJ****)
小信号シリーズ (例：SSM3K102TU)
1. 東芝小信号MOSFET
（Small-Signal-MOSの頭文字）
2. 端子数
3. 極性・内部接続
K ： Nチャネル 1素子入り
J ： Pチャネル 1素子入り
N ： Nチャネル 2素子入り
P ： Pチャネル 2素子入り
L ： Nチャネル + Pチャネル （2素子入り）
E ： Nチャネル + Pチャネル （ロードスイッチ配線済）
H ： Nチャネル + ショットキーバリアダイオード
G ： Pチャネル + ショットキーバリアダイオード
Q ： PNP + Pチャネル
4. 追い番号
5. パッケージ記号
| 3端子 | F： S-Mini FU： USM FS： SSM FV： VESM T： TSM TU： UFM CT： CST3 CTB： CST3B R： SOT-23F |
|---|---|
| 4端子 | CT： CST4 |
| 5端子 | F： SMV FU： USV FE： ESV TU： UFV |
| 6端子 | FU： US6 FE： ES6 TU： UF6 CTD： CST6D NU： UDFN6/UDFN6B |
多ピンパッケージ従来シリーズ (例：TPC8067-H)
1. パッケージ
TPC6：VS-6パッケージ
TPCF8：VS-8パッケージ
TPCP8：PS-8パッケージ
TPCC8：TSON Advanceパッケージ
TPC8：SOP-8パッケージ
TPCA8：SOP Advanceパッケージ
2. 極性/回路構成
0： シングル Nチャネル
1： シングル Pチャネル
2： デュアル Nチャネル
3： デュアル Pチャネル
4： デュアル Nチャネル ＋ Pチャネル
A： Nチャネル ＋ SBD
B： Pチャネル ＋ SBD
J ： Pチャネル ＋ NPN
3. 製品の追い番号
4. 付加情報
-H：高速タイプ
なし：低オン抵抗タイプ
多ピンパッケージ新シリーズ (例：TPH4R606NH)
1. パッケージ
TPN ： TSON Advanceパッケージ
TPW： DSOP Advanceパッケージ
TP8 ： SOP-8パッケージ
TPH ： SOP Advanceパッケージ
SOP Advance(N)パッケージ
TPE ： SOP Advance(E)パッケージ
2. オン抵抗 （最大保証駆動時のMax規格）
R46 = 0.46 mΩ
4R6 = 4.6 mΩ
100 = 10 x 100 = 10 mΩ
101 = 10 x 101 = 100 mΩ
3. 極性/回路構成
0 ： シングル Nチャネル
1 ： シングル Pチャネル
2 ： デュアル Nチャネル
3 ： デュアル Pチャネル
4 ： デュアル Nチャネル + Pチャネル
A ： Nチャネル + SBD
B ： Pチャネル + SBD
4. ドレイン･ソース間電圧 VDSS
3： 25〜34 V
4： 35〜44 V
5： 45〜54 V
6： 55〜64 V
7： 65〜74 V
8： 75〜84 V
9： 85 ～ 94 V
A： 95〜124 V
B： 125〜149 V
C： 150〜179 V
D： 180〜199 V
E： 200〜249 V
F： 250〜299 V
5. 製品シリーズ
G： U-MOSVII
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Q： U-MOSX
6. 付加情報
1～4： 追い番号
5： 高速ボディダイオード タイプ
A： VGS = 10 V駆動 (Drive)
B： VGS = 6 V駆動 (Drive)
C： VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
D： VGS = 2.5 V駆動 (Drive)
E： VGS = 2.0 V駆動 (Drive)
F： VGS = 1.8 V駆動 (Drive)
G： VGS = 1.5 V駆動 (Drive)
H： 低rgタイプ VGS = 10 V駆動 (Drive)
J： VGS = 1.2 V駆動 (Drive)
M： 低rgタイプ VGS = 6 V駆動 (Drive)
L： 低rgタイプ VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
Q： Tch(max) = 175℃保証 + ゲート・ソース間ツェナー ダイオード有品
R： Tch(max) = 150℃保証 + ゲート・ソース間ツェナーダイオード有品
S： Tch(max) = 175℃保証
T： Tch(max) = 150℃保証
U： 低スパイク
多ピンパッケージ車載向け新シリーズ (例:XPQR3004PB)
1. パッケージ
XPN： TSON Advance
XP8： SOP-8
XPH： SOP Advance
XPJ： S-TOGL
XPQ： L-TOGL
XPY： TO-Leadless
XPW： DSOP Advance
2. オン抵抗 （最大保証駆動時のMax規格）
R46 = 0.46mOhm
4R6 = 4.6mOhm
100 = 10 x 100 = 10mOhm
101 = 10 x 101 = 100mOhm
3. 極性/回路構成
0 ： Nch MOSFETの1チップ構成
1 ： Pch MOSFETの1チップ構成
4. ドレイン･ソース間電圧 VDSS
4： 35〜44 V
6： 55〜64 V
8： 75〜84 V
A： 95〜124 V
5. 製品シリーズ
K： U-MOSIV
M： U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Q： U-MOSX
6. 付加情報
1～4： 追い番号
5： 高速ボディダイオード タイプ
A： VGS = 10 V駆動 (Drive)
B： VGS = 6 V駆動 (Drive)
C： VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
D： VGS = 2.5 V駆動 (Drive)
S： Tch(max) = 175℃保証
三端子シリーズ (例：TK40S10K3Z)
1.
TK: Nチャンネル MOSFET
TJ: Pチャンネル MOSFET
2. ドレイン電流 ID
3. パッケージ
A： TO-220SIS
C： I2PAK
E： TO-220
F： TO-220SM（W）
G： D2PAK
J： TO-3P（N）
L： TO-3P（L）
M： TO-3P（N）IS
N： TO-247
P： DPAK/New PW-Mold
Q： IPAK/ New PW Mold2
S： DPAK+
V： DFN8x8
Z： TO-247-4L (4端子)
4. ドレイン･ソース間電圧
表示値×10倍 = VDSS
06：VDSS = 60 V
10：VDSS = 100 V
5. 製品シリーズ
A： π-MOSIV
C： π-MOSVI
D： π-MOSVII
E： π-MOSVIII
J： U-MOSIII
K： U-MOSIV
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
U： DTMOSII
V： DTMOSIII
W： DTMOSIV
X ： DTMOSIV-H
6. 追記記号(1)
1： 高速スイッチングタイプ
3： 低オン抵抗タイプ
5： 高速ボディーダイオードタイプ
7. 追記記号(2)
H : VGS = 10 V駆動（Drive）
M : VGS = 6 V駆動（Drive）
L : VGS = 4.5 V駆動（Drive）
Z : ゲート・ソース間ツェナーダイオード有品
三端子新シリーズ (例：TKR74F04PB)
1.
TK: Nチャンネル MOSFET
TJ: Pチャンネル MOSFET
2.
オン抵抗 VDSS = 400V未満の製品
(最大保証駆動時のMax規格）
R74 = 0.74 mΩ
8R2 = 8.2 mΩ
100 = 10 x 100 = 10 mΩ
101 = 10 x 101 = 100 mΩ
オン抵抗 VDSS = 400V以上の製品
(最大保証駆動時のMax規格）
047 = 0.047 Ω
410 = 0.41 Ω
4K7 = 4.7 Ω
3. パッケージ
A： TO-220SIS
C： I2PAK
E： TO-220
F： TO-220SM（W）
G： D2PAK
J： TO-3P（N）
L： TO-3P（L）
M： TO-3P（N）IS
N： TO-247
P： DPAK/New PW-Mold
Q： IPAK/ New PW Mold2
R： D2PAK+
S： DPAK+
U： TOLL
V： DFN8x8
Z： TO-247-4L (4端子)
4. ドレイン･ソース間電圧
表示値×10倍 = VDSS
04：VDSS = 40 V
10：VDSS = 100 V
5. 製品シリーズ
F： π-MOSⅨ
G： U-MOSVII
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Q： U-MOSX
Y： DTMOSⅤ
Z： DTMOSⅥ
6. 付加情報
1～4： 追い番号
5： 高速ボディダイオード タイプ
A: VGS = 10 V駆動 (Drive)
B: VGS = 6 V駆動 (Drive)
C: VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
H : 低rgタイプ VGS = 10 V駆動（Drive）
M : 低rgタイプ VGS = 6 V駆動（Drive）
L : 低rgタイプ VGS = 4.5 V駆動（Drive）
R : 高rgタイプ