TK62N60X

パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)

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データシート

TK62N60X データシート/日本語[2014年02月]PDF: 369KB

データシート

TK62N60X データシート/英語[2014年02月]PDF: 246KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2021年12月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2018年12月]mod: 21KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年10月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 269KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2019年11月]PDF: 1348KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

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MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

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MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

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降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

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構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

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最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

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MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

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熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

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カタログ

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カタログ

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製品概要

用途 スイッチングレギュレーター
極性 N-ch
世代 DTMOSⅣ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 TO-247
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 600 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V
ドレイン電流 ID 61.8 A
許容損失 PD 400 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 40 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 6500 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 135 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 500 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 7000 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2021年12月

2018年12月

2023年10月

2024年10月

2024年11月

2024年11月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TK62N60X,S1F 30 Yes

リファレンスデザイン

これは、MOSFET並列駆動(TK62N60X)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
MOSFET並列駆動(TK62N60X)応用回路
600V系MOSFETを例にとり、電源等の応用における出力電力増大に向けた並列動作時の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。
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