TW060N120C

パワー SiC MOSFET

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データシート

TW060N120C データシート/日本語[2024年09月]PDF: 630KB

データシート

TW060N120C データシート/英語[2024年09月]PDF: 520KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 50KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

シミュレーションモデル

PLECSモデル[2024年11月]ZIP: 6KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年10月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 240KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年06月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2025年06月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

第3世代SiC MOSFETの特長[2023年06月]PDF: 1667KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

データシート

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アプリケーションノート

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シミュレーションモデル

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欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2025年06月]PDF: 123KB

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ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

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セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

製品概要

用途 スイッチングレギュレーター用
極性 N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 東芝 TW060N120C パワー SiC MOSFET製品のTO-247パッケージ画像
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示
Ultra Librarian® CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード<br>(注1)(注3)

UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード
(注1)(注3)
SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 SamacSysからダウンロード<br>(注2)(注3)

SamacSysからダウンロード
(注2)(注3)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1

Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian®によって提供されます。

注2

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル（シンボル/フットプリント/3Dモデル）はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

注3

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 1200 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +25/-10 V
ドレイン電流 ID 36 A
許容損失 PD 170 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 5.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Typ.) RDS(ON) |VGS|=18V 60 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 1530 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg - 46 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2023年05月

2023年04月

2023年04月

2024年11月

2023年10月

2024年10月

2025年06月

2025年06月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

注3

PLECS ®はPlexim, Inc. の登録商標です。

リファレンスデザイン

3相AC 400V入力対応10kW PFC電源
本デザインは出力DC 750Vで10kWの電力を供給できます。3相AC電源 (312V～528V) を入力し、1200V系SiC MOSFETを採用した3相トーテムポール構成でDC 750Vを出力します。電気自動車用充電スタンドなど3相AC電源を入力とする各種産業機器への応用が可能です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
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