MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路

パッケージ内部インダクタンスの影響を低減させる四端子構造を特徴とするDFN8x8パッケージを例とし、高速スイッチング化を図る際の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。

これは、MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
素子とパターン配線インダクタンスの関係
これは、MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路のシミュレーション回路です。
シミュレーション回路

概要

  • 従来の三端子パッケージに対し、ゲート駆動回路用ソース端子を追加した四端子構造パッケージ
    DFN8x8の特長の紹介
  • ドレイン電流経路のソース配線インダクタンスの影響を受けない四端子構造パッケージは、従来の三端子構造パッケージに比べ、ゲート発振が発生し難く、スイッチング損失も小さいという優れた特性を持つことを回路シミュレーションを通して解説

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TK25V60X MOSFET   DTMOSIV-H/600V/135mΩ(最大)@VGS=10V/高速スイッチング/DFN8x8

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