MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路

パッケージ内部インダクタンスの影響を低減させる四端子構造を特徴とするDFN8x8パッケージを例とし、高速スイッチング化を図る際の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。

これは、MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
これは、MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路のシミュレーション回路です。

概要

  • 従来の三端子パッケージに対し、ゲート駆動回路用ソース端子を追加した四端子構造パッケージ
  • DFN8x8の特長の紹介
  • ドレイン電流経路のソース配線インダクタンスの影響を受けない四端子構造パッケージは、従来の三端子構造パッケージに比べ、ゲート発振が発生し難く、スイッチング損失も小さいという優れた特性を持つことを回路シミュレーションを通して解説

デザインドキュメント

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デザインデータ

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使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) N-ch MOSFET, 600 V, 0.135 Ω@10V, DFN 8 x 8, DTMOSⅣ-H

関連ドキュメント

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