Asia-Pacific
English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
Americas
English
Europe (EMEA)
English



品番検索

クロスリファレンス検索

クロスリファレンス検索で表示される情報について

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

パワーマルチプレクサー回路

2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
基板写真(例)

概要

回路 2入力1出力パワーマルチプレクサー
VINA入力 / VINB入力 5 V/20 V、5 V/12 V、9 V/20 V、5 V/12 V、12 V/24 V
出力電流 (最大値) 3 A~5 A
これは、パワーマルチプレクサー回路の簡易ブロック図です。
簡易ブロック図(例)
これは、パワーマルチプレクサー回路のMBB 動作波形(例)です。
MBB 動作波形(例)

特長

  • 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
  • 入力電圧は5 V系から24 V系、出力電流は最大5 Aまで、5種類のリファレンス回路をラインアップ
  • USBパワーデリバリ―、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
  • MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
  • 理想ダイオード特性を実現

資料ダウンロード

デザインドキュメント

デザイン・ドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

デザイン・ファイル

デザイン・ファイルには以下のコンテンツが含まれます。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。
※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

東芝製品

型番 製品 搭載部位 特長
CUHZ12V ツェナーダイオード Module board VZ = 12 V/US2H
CUHZ16V ツェナーダイオード Module board VZ = 16 V/US2H
CUHZ30V ツェナーダイオード Module board VZ = 30 V/US2H
CUHZ6V8 ツェナーダイオード Module board VZ = 6.8 V/US2H
DSF01S30SL ショットキバリアダイオード Module board VR = 30 V、IO = 100 mA/SL2
SSM3K15ACTC Nch-MOSFET Module board VDSS = 30 V、ID = 100 mA/CST3
SSM3K72CTC Nch-MOSFET Module board VDSS = 60 V、ID = 150 mA/CST3C
SSM6K513NU Nch-MOSFET Module board VDSS = 30 V、ID = 15 A、12 mΩ@VGS = 4.5 V/UDFN6B
TC75S70L6X コンパレーター Module board プッシュプル出力/入出力フルレンジ/MP6C
TC7PZ14FU L-MOS Module board Schmitt Inverter/US6
TC7WZ04FK L-MOS Module board Inverter/US8
TCK420G MOSFET Gate Driver IC Module board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6G
TCK421G MOSFET Gate Driver IC Module board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6G
TCK422G MOSFET Gate Driver IC Module board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6G
TCK423G MOSFET Gate Driver IC Module board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6G
TCK424G MOSFET Gate Driver IC Module board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6G
TCK425G MOSFET Gate Driver IC Module board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6G
TCKE712BNL eFuseIC Module board Vopr = 4.4 V~13.2 V/WSON10B
TCKE812NL eFuseIC Module board Vopr = 4.4 V~18 V/WSON10B
TCR1HF33B** LDO Module board VOUT = 3.3 V/SMV
TCR1HF50B** LDO Module board VOUT = 5.0 V/SMV
TPHR6503PL1 Nch-MOSFET Module board VDSS = 30 V/SOP Advance(N)
TPHR8504PL1 Nch-MOSFET Module board/ Base board VDSS = 40 V/SOP Advance(N)
TPN1R603PL Nch-MOSFET Module board VDSS = 30 V/TSON Advance
TCK402G MOSFET Gate Driver IC Base board Vopr = 2.7 V~28 V/WCSP6E
TC7PZ17FU L-MOS Base board Dual Schmitt Buffer/US6
74HC123D CMOS logic IC Base board Dual Monostable Multivibrator/SOIC16
TAR5SB48 LDO Base board VOUT = 4.8 V/SMV
RN1114MFV Bias resistor built-in transistor (BRT) Base board NPN/1 kΩ/10 kΩ/VESM
RN2102MFV Bias resistor built-in transistor (BRT) Base board PNP/10 kΩ/10 kΩ/VESM
1SS307E Switching diode Base board VR = 80 V/100 mA/ESC

**:開発中

ドキュメント

名称 日付

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ

* Cadence、Cadenceロゴ、OrCADおよびOrCADロゴはCadence Design Systems, Inc.の米国またはその他の国における商標または登録商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。