パワーマルチプレクサー回路

2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
基板写真(例)
CUHZ30V TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 DSF01S30SL SSM3K72CTC TCR1HF33B TCK421G DSF01S30S TC7WZ04FK TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 CUHZ6V8 SSM3K15ACTC TCK425G

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特長

  • 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
  • 入力電圧は5 V系から24 V系、出力電流は最大5 Aまで、5種類のリファレンス回路をラインアップ
  • USBパワーデリバリー、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
  • MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
  • 理想ダイオード特性を実現

概要

回路 2入力1出力パワーマルチプレクサー
VINA入力 / VINB入力 5 V/20 V、5 V/12 V、9 V/20 V、5 V/12 V、12 V/24 V
出力電流 (最大値) 3 A~5 A
これは、パワーマルチプレクサー回路のMBB 動作波形(例)です。
MBB 動作波形(例)

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
ツェナーダイオード Module board 12 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 16 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 30 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
ツェナーダイオード Module board 6.8 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H)
小信号ショットキーバリアダイオード Module board 30 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-962(SL2)
小信号MOSFET Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, CST3C
小信号MOSFET Module board N-ch MOSFET, 60 V, 0.15 A, 3.9 Ω@10V, CST3C
小型・低オン抵抗MOSFET Module board N-ch MOSFET, 30 V, 15 A, 0.0089 Ω@10V, SOT-1220(UDFN6B)
コンパレーター (CMOS) Module board Single Comparator (CMOS), 5.5 V, +/-2.75 V, MP6C
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Module board One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Inverter, SOT-363(US6)
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Module board One-Gate Logic(L-MOS), Inverter, SOT-765(US8)
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
ロードスイッチIC Module board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6G
eFuse IC Module board 4.4 to 13.2 V/3.65 A eFuse IC, 53 mΩ, WSON10
eFuse IC Module board 4.4 to 18 V/5.0 A eFuse IC, 28 mΩ, WSON10B
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) Module board/ Base board N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) Module board N-ch MOSFET, 30 V, 0.0016 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H
ロードスイッチIC Base board 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6E
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) Base board One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Buffer, SOT-363(US6)
CMOSロジックIC 74HCシリーズ Base board Dual Monostable Multivibrator, SOIC16
ポイントレギュレーター(シングル出力) Base board 200 mA Fixed Output LDO Regulator, 4.8 V, SOT-25(SMV)
抵抗内蔵型トランジスター(BRT) Base board NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 1 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
抵抗内蔵型トランジスター(BRT) Base board PNP Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
スイッチングダイオード Base board 80 V/0.1 A Switching diode, SOD-523(ESC)
低ドロップアウト(LDO)リニアーボルテージレギュレーター Module board High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator
低ドロップアウト(LDO)リニアーボルテージレギュレーター Module board High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator

関連ドキュメント

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関連リファレンスデザイン

アプリケーション

ロボットクリーナー
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アクションカメラ
アクションカメラの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、RF回路部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
スマートスピーカー
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ワイヤレスイヤホン
ワイヤレスイヤホンの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・電源管理部、サージ・ESD保護回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
スマートウォッチ
スマートウオッチの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、各種センサー信号入力部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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タブレットデバイス
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