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パワーマルチプレクサー回路
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。
概要
| 回路 | 2入力1出力パワーマルチプレクサー |
|---|---|
| VINA入力 / VINB入力 | 5 V/20 V、5 V/12 V、9 V/20 V、5 V/12 V、12 V/24 V |
| 出力電流 (最大値) | 3 A～5 A |
特長
- 2 × 2 cmの小型基板搭載、2入力1出力のパワーマルチプレクサ回路
- 入力電圧は5 V系から24 V系、出力電流は最大5 Aまで、5種類のリファレンス回路をラインアップ
- USBパワーデリバリ―、急速充電、ワイヤレス給電など多彩な電源系統の切り替えに対応
- MBB (Make-Before-Break), BBM (Break-Before-Make) 動作切り替え可能
- 理想ダイオード特性を実現
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デザイン・ドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザイン・ファイル
デザイン・ファイルには以下のコンテンツが含まれます。
※1：実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。
※2：CR5000BD上でデータ出力しています。
東芝製品
| 型番 | 製品 | 搭載部位 | 特長 |
|---|---|---|---|
| CUHZ12V | ツェナーダイオード | Module board | VZ = 12 V/US2H |
| CUHZ16V | ツェナーダイオード | Module board | VZ = 16 V/US2H |
| CUHZ30V | ツェナーダイオード | Module board | VZ = 30 V/US2H |
| CUHZ6V8 | ツェナーダイオード | Module board | VZ = 6.8 V/US2H |
| DSF01S30SL | ショットキバリアダイオード | Module board | VR = 30 V、IO = 100 mA/SL2 |
| SSM3K15ACTC | Nch-MOSFET | Module board | VDSS = 30 V、ID = 100 mA/CST3 |
| SSM3K72CTC | Nch-MOSFET | Module board | VDSS = 60 V、ID = 150 mA/CST3C |
| SSM6K513NU | Nch-MOSFET | Module board | VDSS = 30 V、ID = 15 A、12 mΩ＠VGS = 4.5 V/UDFN6B |
| TC75S70L6X | コンパレーター | Module board | プッシュプル出力/入出力フルレンジ/MP6C |
| TC7PZ14FU | L-MOS | Module board | Schmitt Inverter/US6 |
| TC7WZ04FK | L-MOS | Module board | Inverter/US8 |
| TCK420G | MOSFET Gate Driver IC | Module board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6G |
| TCK421G | MOSFET Gate Driver IC | Module board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6G |
| TCK422G | MOSFET Gate Driver IC | Module board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6G |
| TCK423G | MOSFET Gate Driver IC | Module board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6G |
| TCK424G | MOSFET Gate Driver IC | Module board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6G |
| TCK425G | MOSFET Gate Driver IC | Module board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6G |
| TCKE712BNL | eFuseIC | Module board | Vopr = 4.4 V～13.2 V/WSON10B |
| TCKE812NL | eFuseIC | Module board | Vopr = 4.4 V～18 V/WSON10B |
| TCR1HF33B** | LDO | Module board | VOUT = 3.3 V/SMV |
| TCR1HF50B** | LDO | Module board | VOUT = 5.0 V/SMV |
| TPHR6503PL1 | Nch-MOSFET | Module board | VDSS = 30 V/SOP Advance(N) |
| TPHR8504PL1 | Nch-MOSFET | Module board/ Base board | VDSS = 40 V/SOP Advance(N) |
| TPN1R603PL | Nch-MOSFET | Module board | VDSS = 30 V/TSON Advance |
| TCK402G | MOSFET Gate Driver IC | Base board | Vopr = 2.7 V～28 V/WCSP6E |
| TC7PZ17FU | L-MOS | Base board | Dual Schmitt Buffer/US6 |
| 74HC123D | CMOS logic IC | Base board | Dual Monostable Multivibrator/SOIC16 |
| TAR5SB48 | LDO | Base board | VOUT = 4.8 V/SMV |
| RN1114MFV | Bias resistor built-in transistor (BRT) | Base board | NPN/1 kΩ/10 kΩ/VESM |
| RN2102MFV | Bias resistor built-in transistor (BRT) | Base board | PNP/10 kΩ/10 kΩ/VESM |
| 1SS307E | Switching diode | Base board | VR = 80 V/100 mA/ESC |
**：開発中
ドキュメント
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