1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバー TPD7104AF応用と回路

MOSFETとの組み合わせで大電流ロードスイッチ回路を構成できるゲートドライバーのリファレンスデザインです。応用回路例、負荷ショート検出・電源逆接続保護などの機能説明、回路設計ガイド、シミュレーション例などを提供します。

これは、1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバー TPD7104AF応用と回路の負荷ショート(過電流)検出機能対応ブロック図です。
これは、1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバー TPD7104AF応用と回路の電源逆接続保護機能対応ブロック図です。

特長

  • TPD7104AFとパワーMOSFET TKR74F04PBを各2個使用した半導体リレー回路
  • 入力電圧：12V
  • 最大負荷電流：40A
  • 負荷ショート(過電流)検出機能
  • 電源逆接続保護機能

概要

  • TPD7104AFとパワーMOSFETを組み合わせた半導体リレーへの応用の紹介
  • 負荷ショート(過電流)検出機能、電源接続保護機能の解説
  • 40A通電可能な半導体リレーの設計事例
  • Spiceシミュレーションによる動作検証

デザインドキュメント

デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

デザインデータ

デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
インテリジェントパワーデバイス (ハイサイドパワーMOSFETドライバ チャージポンプ内蔵) 2 Automotive Gate driver for High-side switch, PS-8
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) 2 N-ch MOSFET, 40 V, 250 A, 0.00074 Ω@10V, TO-220SM(W)

関連ドキュメント

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ
別ウインドウにて開きます