48Vバス電圧からダイレクトに1.2Vまで降圧し、100A出力可能な絶縁型DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。ブロック図、基板情報、使用方法などを提供します。
デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。
品番 | 製品 | 搭載部位・数量 | 特徴 |
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パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) | 一次側・2 | N-ch MOSFET, 100 V, 0.0115 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | 二次側同期整流・4 | N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | |
フォトカプラ(トランジスタ出力) | 出力電圧フィードバック・1 | Photocoupler (phototransistor output), DC input, 5000 Vrms, DIP4(TLP785) | |
フォトカプラ(IC出力) | 一次側、二次側間制御信号伝達・2 | Photocoupler (photo-IC output), High-speed, 50 Mbps, 5000 Vrms, SO6L | |
小信号ショットキバリアダイオード | 一次側・2 | 30 V/0.2 A Schottky Barrier Diode, SOT-23(SOT23) | |
スイッチングダイオード | 一次側・3、二次側・2 | 100 V/0.25 A Switching diode, SOD-323(USC) |