eFuse IC応用回路 (過熱遮断)

eFuse IC応用回路 (過熱遮断) を小型基板に実現。ThermoflaggerTM (過熱監視 IC) と組み合わせて異常発熱を検知し出力を遮断する回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

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特長

  • eFuse ICの多彩な保護動作に加え、簡単な過熱保護ソリューションを提案
  • 複数のPTCサーミスターと組み合わせ可能
  • 2 × 2cmの小型基板に搭載

概要

入力電源電圧 DC 2.7 ～ 6V
定格出力電流 1.1A (標準)、抵抗設定で最大4Aまで変更可能

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
eFuse IC モジュール基板・1 2.7 to 23 V/4.0 A eFuse IC, 34 mΩ, WSON8
過熱監視IC モジュール基板・1 10 μA, Open-drain, 過熱監視IC
小信号MOSFET モジュール基板・1 N-ch MOSFET, 20 V, 0.18 A, 3.0 Ω@4V, SOT-723(VESM)
小信号MOSFET モジュール基板・1 P-ch MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, SOT-723(VESM)
L-MOS VHSシリーズ モジュール基板・1 One-Gate Logic(L-MOS), Non-Inverter Buffer, SOT-353(USV)
ツェナーダイオード モジュール基板・2 6.8 V Zener Diode, SOD-523(ESC)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) ベース基板・4 N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
ロードスイッチIC ベース基板・4 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6E
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) ベース基板・4 One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Buffer, SOT-363(US6)
CMOSロジックIC 74HCシリーズ ベース基板・2 Dual Monostable Multivibrator, SOIC16
ポイントレギュレーター(シングル出力) ベース基板・1 200 mA Fixed Output LDO Regulator, 4.8 V, SOT-25(SMV)
抵抗内蔵型トランジスター(BRT) ベース基板・1 NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
抵抗内蔵型トランジスター(BRT) ベース基板・4 PNP Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
スイッチングダイオード ベース基板・2 80 V/0.1 A Switching diode, SOD-523(ESC)

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

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アプリケーション

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サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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ソリッドステートドライブ
ソリッドステートドライブ (SSD) の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・電源管理部、サージ・ESD保護回路部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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