1.6kW 通信機器用 48V出力電源(アップグレード版)

東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し高負荷領域で効率向上を実現した48V出力1.6kWの通信機器用電源。通信機器をはじめ、小型部品を採用することで、一般的な1U電源等さまざまな筐体サイズや用途への展開に対応しています。回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます

基板外観
基板外観
TRS8A65F TRS8A65F TRS8A65F TK125N60Z1 TK125N60Z1 TK125N60Z1 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TPM7R10CQ5 TPM7R10CQ5 TPM7R10CQ5 DCL540C01 TPM1R908QM TPM1R908QM

クリックで詳細製品情報表示

特長

  • 最新世代パワー素子 (MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案
  • 小型部品を採用することで、一般的な1U電源をはじめ、さまざまな筐体サイズや用途への展開に対応
  • 変換効率：95.2% (Vin = 230V、100%負荷)

仕様

入力電圧 AC 90 ～ 264V
出力電圧 DC 48V
出力電力 1.6kW
回路トポロジー セミブリッジレスPFC、フェイズシフトフルブリッジ＋同期整流回路、出力ORing回路
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC回路・2 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
SiCショットキーバリアダイオード PFC回路・2 650 V/8 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PSFB回路・4 N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) PSFB回路・4 N-ch MOSFET, 150 V, 0.0071 Ω@10V, Qrr=43nC@100A/μs, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H
スタンダードデジタルアイソレーター 1次側-2次側間制御信号伝達・1 HIGH SPEED QUAD CHANNEL DIGITAL ISOLATORS, High-speed, 150 Mbps, 5000 Vrms, 16pin SOIC Wide body
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) ORing回路・3 N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 Ω@10V, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ
会員登録が必要です
別ウインドウにて開きます