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CMOSロジックICの基本構造
断面構造図(例)
- N型基板(N-Substrate)上にP型の広い拡散領域(P-Well)を設ける 。
- P-well上にN-chのMOSFETを形成
- N-Substrate上にP-chのMOSFETを形成
- プロセスによってはP型基板上にN-wellを設けるタイプもある。
- ゲート幅よりMOSFETの性能/集積度が決定するため、ゲート幅にて使用プロセスを表現する。Ex)ゲート幅が１.0μmの場合1.0μmCMOSプロセスと呼ぶ
(この場合、③－④、⑤－⑥間の距離)
①：N-Substrate 通常ウェハー基板となる。
②：P-Well N-ch MOSFET領域形成用
③：N-ch MOSFETソース用拡散
④：N-ch MOSFETドレイン用拡散
⑤：P-ch MOSFETドレイン用拡散
⑥：P-ch MOSFETソース用拡散
⑦：P-Wellバイアス用拡散
⑧：N-Substrateバイアス用拡散
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