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半導体素子に損失が発生した時の接合温度の計算方法を教えてください。
半導体素子に損失が発生すると、接合温度は上昇します。
接合温度上昇分 ΔTj [℃] ＝ 熱抵抗 Rth [℃/W] × 半導体素子での損失 PLoss [W]の関係があります。
接合温度 Tj は、以下式で計算できます。
接合温度 Tj [℃] = 接合温度上昇分 ΔTj [℃] + 周囲温度 Ta [℃]
＊バイポーラートランジスターなどは接合温度 Tj 、MOSFETはチャネル温度 Tch で表します。
以下資料に接合温度の計算に関する説明がございますので、参照ください。
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