ショットキーバリアダイオード（SBD）の順電圧（VF）はどれくらいですか？

使用される金属により変わってきますが、定格のVFは0.4～0.7V程度とPN接合ダイオードより低VFの特性となっています。ただし、耐圧は20～150V程度とPN接合ダイオードと比較するとシリコンでは高い製品はありません。

最近では絶縁破壊強度の高いワイドバンドギャップ半導体（SiC）を半導体として使用し、耐圧が650Vの製品もあります。
図-1にpn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード（SBD）のバイアスを印加しないときのバンド図を示します。順方向電圧VFはpn接合ダイオードのp型半導体とn型半導体のポテンシャルエネルギーの差、SBDの順方向電圧は、金属の仕事関数とシリコンなどの電子親和力の差（ショットキー障壁）によって決まります。このため、仕事関数とシリコンなどの電子親和力の差の小さな金属を選択することにより低VFの特性を実現できます。金属の違いによるVFの差のイメージを図-2に示します。

図-1　pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオードのバンド図（無バイアス）
図-1　pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオードのバンド図（無バイアス）
図-2　SBDのV-I特性（金属による違い）　
図-2　SBDのV-I特性（金属による違い）　

関連リンク

製品ラインアップについては、以下のページ、ドキュメントをご参照ください。

ダイオード
製品ページ
ディスクリート半導体の基礎　第2章ダイオード
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TVSダイオードの基礎（ESD保護用ダイオード）
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ショットキーバリアダイオードの基礎①
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