ディスクリート半導体の基礎

半導体とは何かから、ダイオード、トランジスター、アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)、電源ICの基礎知識を学習できます。

第1章　半導体の基礎

半導体の定義、材料、n型/p型半導体、pn接合等の基本的な内容を説明します。
動画での説明、PDFでの資料提供、Webページでの閲覧からお選びください。どれも同じ内容です。

以下の内容が含まれます

  • 半導体とは何か
  • 半導体の原料
  • n型半導体
  • p型半導体
  • 化合物半導体
  • pn接合
  • 半導体デバイスの種類

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1-1. 半導体とは何か
詳細
1-2. 半導体の原料
詳細
1-3. n型半導体
詳細
1-4. p型半導体
詳細
1-5. 化合物半導体
詳細
1-6. pn接合
詳細
1-7. 半導体デバイスの種類
詳細

第2章　ダイオード

ダイオードの種類について述べ、個々のダイオードの動作や性質を説明します。

以下の内容が含まれます

  • ダイオードの種類
  • 整流ダイオードの働き
  • 整流ダイオードの順方向特性
  • FRD
  • 定電圧ダイオード
  • ESD保護用ダイオード
  • ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い
  • 可変容量ダイオード
  • ショットキーバリアダイオード(SBD)
  • SBDの逆回復特性
  • SBDの金属による差
  • 各種ダイオードの特性と応用

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2-1. ダイオードの種類
詳細
2-2. 整流ダイオードの働き
詳細
2-3. 整流ダイオードの順方向特性
詳細
2-4. FRD
詳細
2-5. 定電圧ダイオード
詳細
2-6. ESD保護用ダイオード
詳細
2-7. ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い(1)
詳細
2-8. ESD保護用ダイオードと定電圧ダイオードの違い(2)
詳細
2-9. 可変容量ダイオード
詳細
2-10. ショットキーバリアダイオード(SBD)
詳細
2-11. SBDの逆回復特性
詳細
2-12. SBDの金属による差
詳細
2-13. 各種ダイオードの特性と応用
詳細

第3章　トランジスター

トランジスターの種類について述べ、個々のトランジスターの動作や性質を説明します。

以下の内容が含まれます

  • トランジスターの種類
  • バイポーラートランジスター
  • 抵抗内蔵型トランジスター
  • JFET
  • MOSFET
  • BJTとMOSFETの動作
  • MOSFETの構造と動作
  • MOSFET：RDS(ON)の決定要因
  • MOSFET：低RDS(ON)化
  • Super Junction MOSFET
  • MOSFETの構造別特長
  • MOSFET：ドレイン電流と許容損失
  • MOSFET：アバランシェ耐量
  • MOSFET：容量特性
  • MOSFET：安全動作領域(SOA)
  • IGBT
  • IGBTの動作
  • IGBT：縦方向デザインの進化
  • RC-IGBT/IEGTとは
  • IGBTの応用機器
  • IGBTとMOSFETの比較
  • 各トランジスターの比較まとめ
  • MOSFET：最大定格
  • MOSFET：電気的特性
  • MOSFET：容量・スイッチング特性
  • MOSFET：ボディーダイオード

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Webページで1ページずつご覧になりたい方に

3-1. トランジスターの種類
詳細
3-2. バイポーラートランジスター
詳細
3-3. 抵抗内蔵型トランジスター
詳細
3-4. JFET
詳細
3-5. MOSFET
詳細
3-6. BJTとMOSFETの動作
詳細
3-7. MOSFETの構造と動作
詳細
3-8. MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
3-10. Super Junction MOSFET
詳細
3-11. MOSFETの構造別特長
詳細
3-12. MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
3-13. MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
3-14. MOSFET：容量特性
詳細
3-15. MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
3-16. IGBT
詳細
3-17. IGBTの動作
詳細
3-18. IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
3-19. RC-IGBT/IEGTとは
詳細
3-20. IGBTの応用機器
詳細
3-21. IGBTとMOSFETの比較
詳細
3-22. 各トランジスターの比較まとめ
詳細
3-23. MOSFET：最大定格
詳細
3-24. MOSFET：電気的特性
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3-25. MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細
3-26. MOSFET：ボディーダイオード
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第4章　パワーマネージメント用IC

電源ICの種類について述べ、機器内での電源の状況、なぜPOL用電源が必要なのか説明します。
また、リニアーレギュレーターやスイッチングレギュレーターの動作も説明します。

以下の内容が含まれます

  • パワーマネージメント用IC
  • 機器の電源構成例
  • POL用電源IC
  • 電源ICの種類
  • リニアーレギュレーター
  • スイッチングレギュレーター
  • LDOの機能
  • ロードスイッチIC
  • ロードスイッチICの機能

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4-1. パワーマネージメント用IC
詳細
4-2. 機器の電源構成例
詳細
4-3. POL用電源IC
詳細
4-4. 電源ICの種類
詳細
4-5. リニアーレギュレーター
詳細
4-6. スイッチングレギュレーター
詳細
4-7. LDOの機能
詳細
4-8. ロードスイッチIC
詳細
4-9. ロードスイッチICの機能
詳細

第5章　光半導体(アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR))

フォトカプラーを含むアイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)の種類について述べ、個々のデバイスの動作や特性を説明します。

以下の内容が含まれます

  • 光半導体の種類
  • LEDの発光原理
  • LEDの発光波長
  • フォトカプラーとは
  • フォトカプラーはなぜ必要か
  • フォトカプラーの種類と機能
  • パッケージと安全規格
  • フォトカプラーの内部構造
  • 主な安全規格
  • フォトカプラーの特性 変換効率
  • フォトカプラーの特性 トリガーLED電流
  • フォトカプラーの経年変化
  • フォトカプラーの使い方
  • フォトカプラーの使い方 入力電流
  • フォトカプラーの使い方 出力電流
  • フォトカプラーの使い方 出力側抵抗RL
  • フォトカプラーの使い方 確認

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Webページで1ページずつご覧になりたい方に

5-1. 光半導体の種類
詳細
5-2. LEDの発光原理
詳細
5-3. LEDの発光波長
詳細
5-4. フォトカプラーとは
詳細
5-5. フォトカプラーはなぜ必要か
詳細
5-6. フォトカプラーの種類と機能
詳細
5-7. パッケージと安全規格
詳細
5-8. フォトカプラーの内部構造
詳細
5-9. 主な安全規格
詳細
5-10. フォトカプラーの特性 変換効率
詳細
5-11. フォトカプラーの特性 トリガーLED電流
詳細
5-12. フォトカプラーの経年変化
詳細
5-13. フォトカプラーの使い方
詳細
5-14. フォトカプラーの使い方 入力電流
詳細
5-15. フォトカプラーの使い方 出力電流
詳細
5-16. フォトカプラーの使い方 出力側抵抗RL
詳細
5-17. フォトカプラーの使い方 確認
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