SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)の熱暴走*は？

SiC SBDのリーク電流は、Si SBDと比べておよそ1/10であり、熱暴走は起きにくくなっています。

従来のSi SBDでは、定格電圧の80%であってもリーク電流が比較的大きいものがあり、熱暴走の観点から使用しにくいものがありました。

東芝SiC SBDのリーク電流は、チップ材料(SiC)による仕事関数の違いと、チップデザイン(JBS構造 : Junction barrier Schottky構造)による最適化から、Si SBDと比べておよそ1/10となっています。

リーク電流は高温になるほど増加します。そのため、このときの損失（＝リーク電流ｘ印加電圧）による発熱が、パッケージを含めた素子の放熱性能を上回ってしまうと、内部チップ温度が上昇し、最終的には熱破壊を引き起こす現象のことを指します。