高耐圧IPDのブートストラップ回路とは何ですか？

ブートストラップ回路とは、ブリッジ回路のハイサイド（上レグ）素子のゲート駆動用に使用される回路です。

図1　ブートストラップ回路例
図1　ブートストラップ回路例

通常、N-chのMOSFETやIGBTのゲートにはソースに対して10～15 V程度高い電圧を印加して駆動します。ハイサイドの素子がオンすると、ソース（もしくは、エミッター）端子電圧は高圧電源と同じ電位となります。このため、ハイサイド素子のゲート駆動用の電源として、高圧電源電圧 + ゲート・ソース間電圧（ゲート・エミッター間電圧）の非常に電圧の高い電源が必要となります。ブートストラップ回路は下図のような回路で構成され、ローサイド素子がオンすることにより、ブートストラップコンデンサー C が充電され、この充電された電荷でハイサイド素子のゲートを駆動します。

図2　ブートストラップの動作①
図2　ブートストラップの動作①
図3　ブートストラップの動作②
図3　ブートストラップの動作②

関連リンク

以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。

FAQ

アプリケーションノート

製品リスト

製品ページ
製品ページ
製品ラインアップ
製品ラインアップ

インテリジェントパワーICのFAQページへ戻る

別ウインドウにて開きます