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高耐圧IPDのブートストラップ回路とは何ですか？
ブートストラップ回路とは、ブリッジ回路のハイサイド（上レグ）素子のゲート駆動用に使用される回路です。
通常、N-chのMOSFETやIGBTのゲートにはソースに対して10～15 V程度高い電圧を印加して駆動します。ハイサイドの素子がオンすると、ソース（もしくは、エミッター）端子電圧は高圧電源と同じ電位となります。このため、ハイサイド素子のゲート駆動用の電源として、高圧電源電圧 + ゲート・ソース間電圧（ゲート・エミッター間電圧）の非常に電圧の高い電源が必要となります。ブートストラップ回路は下図のような回路で構成され、ローサイド素子がオンすることにより、ブートストラップコンデンサー C が充電され、この充電された電荷でハイサイド素子のゲートを駆動します。
関連リンク
以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。
