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MOSFET 電気的特性(電荷容量特性)について Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS

MOSFET 電気的特性(電荷容量特性)について Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS

ゲート電荷容量特性

MOSFETは入力端子ゲートG が絶縁されていますので、ゲート端子から見た電荷量Q が重要なパラメーターになります。

ゲート入力電荷量Qg

ゲート電圧が、ゼロから指定された電圧となるまでの総電荷量です。

ゲート・ソース間電荷量 1 Qgs1

ゲートに電圧を印加してからミラー期間の手前までにゲート・ソース間容量を充電する電荷量です。

ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd

ドレイン・ソース間電圧が低下しゲート・ドレイン間の容量を充電するミラー期間の電荷量です。

ゲートスイッチ電荷量 Qsw

Vth を超えてミラー期間が終わるまでのゲート蓄積電荷量です。

出力電荷量Qoss

ドレイン・ソース間の電荷量です。


ゲート電荷量の定義を下図に示します。

データシート記載例

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
ゲート入力電荷量 Qg VDD ≈ 20 V, VGS = 10 V, ID = 50 A 103 nC
VDD ≈ 20 V, VGS = 4.5 V, ID = 50 A 49
ゲート・ソース間電荷量1 Qgs1 VDD ≈ 20 V, VGS = 5 V, ID = 50 A 25
ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd 12.4
ゲートスイッチ電荷量 QSW 23
出荷電荷量 QQSS VDS = 20 V, VGS = 0 V 85.4

アプリケーションノート「電気的特性:パワーMOSFET アプリケーションノート」にも説明がありますので、ご参照ください。

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