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MOSFET 電気的特性（電荷容量特性）について Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS
ゲート電荷容量特性
MOSFETは入力端子ゲートG が絶縁されていますので、ゲート端子から見た電荷量Q が重要なパラメーターになります。
ゲート入力電荷量Qg
ゲート電圧が、ゼロから指定された電圧となるまでの総電荷量です。
ゲート・ソース間電荷量 1 Qgs1
ゲートに電圧を印加してからミラー期間の手前までにゲート・ソース間容量を充電する電荷量です。
ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd
ドレイン・ソース間電圧が低下しゲート・ドレイン間の容量を充電するミラー期間の電荷量です。
ゲートスイッチ電荷量 Qsw
Vth を超えてミラー期間が終わるまでのゲート蓄積電荷量です。
出力電荷量Qoss
ドレイン・ソース間の電荷量です。
ゲート電荷量の定義を下図に示します。
データシート記載例
| 項目 | 記号 | 測定条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ゲート入力電荷量 | Qg | VDD ≈ 20 V, VGS = 10 V, ID = 50 A | — | 103 | — | nC |
| VDD ≈ 20 V, VGS = 4.5 V, ID = 50 A | — | 49 | — | |||
| ゲート・ソース間電荷量1 | Qgs1 | VDD ≈ 20 V, VGS = 5 V, ID = 50 A | — | 25 | — | |
| ゲート・ドレイン間電荷量 | Qgd | — | 12.4 | — | ||
| ゲートスイッチ電荷量 | QSW | — | 23 | — | ||
| 出力電荷量 | QOSS | VDS = 20 V, VGS = 0 V | — | 85.4 | — |
アプリケーションノート「電気的特性：パワーMOSFET アプリケーションノート」にも説明がありますので、ご参照ください。