MOSFETのオン抵抗を下げるにはゲート電圧は何V印加すればいいですか？

ドレイン・ソース間オン抵抗は、ゲートしきい値電圧ではチャネルが十分に形成されていないためオン抵抗が大きく、オン抵抗測定条件にゲートしきい値電圧を設定するのは不適当です。データシート記載の測定条件のゲート電圧は、下のグラフのR_DS(ON)特性がほぼ水平になった条件での値を設定していますので、この測定条件のゲート電圧を参考にご使用ください。

なお、ゲート電圧を高くする場合、サージを加味して絶対最大定格のV_GSSを超えないように設計をしてください。

以下資料にMOSFETのゲート電圧に関する説明がございますので、参照ください。