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ゲート抵抗は、ゲートドライバー側の過電流制御やスイッチング時のドレイン・ソース間のオーバーシュート電圧の低減(EMIノイズ低減)等の為使われます。
MOSFETに動作に関しては接続するゲートの抵抗値によってMOSFETのスイッチング時間(立ち上がり・立ち下がり時間)が変わります。
スイッチング時間が、短い場合、と長い場合にそれぞれ下記の問題が発生する可能性がありますのでシステムに合ったスイッチング時間を設定して下さい。
そのため、ゲートに接続する抵抗は最適な値を検討する必要があります。
また、MOSFET並列動作における寄生発振の抑止方法については、FAQ「MOSFETを並列に使用する場合、何に注意すればいいですか?」をご参照下さい。
下記ページ、ドキュメントもご参照ください。