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MOSFETをロードスイッチとする場合、発生する突入電流をどう低減できますか。
MOSFETの外部に接続するゲート抵抗 Rgateの値を大きくすることで、スイッチングの立ち上がりが緩やかになり、突入電流を抑制します。
一般的に、電圧安定化のために平滑用として容量の大きなコンデンサー Co がMOSFETの出力側に接続されます。
MOSFETがオンするとこのコンデンサーを充電する突入電流 IRUSHが流れます。
この突入電流を低減するにはMOSFETの外部に接続するゲート抵抗 Rgateの値を大きくする方法があります。このゲート抵抗の値が大きくなると、スイッチングの立ち上がりが緩やかになり、突入電流を抑制します。ただし、スイッチング時間に関しては使用条件によって検討が必要です。ゲート抵抗の値の決め方については以下のアプリケーションノートをご参照ください。