本機能は Internet Explorer 11 ではご利用頂けません。最新のGoogle Chrome, Microsoft Edge, Mozilla Firefox, Safariにてご利用ください。
品番は3文字以上指定して下さい。
クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。
品番は3文字以上指定して下さい。
オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。
BRTは通常スイッチとして使用されます。このため、理想的にはオン時の電圧(コレクター・エミッター間電圧 VCE )はできるだけゼロに近くなることが重要になります。
ベース電流はこの点から考える必要があります。
VCEを可能な限り低くするためには、図1に示すトランジスターを飽和領域で使用します。トランジスターのhFEは通常100で考えますが、飽和領域なので10~20で考える必要があります。このため、コレクター電流の1/10~1/20のベース電流が必要です。
VCE=0.2V、IC=10mAを実現する回路に関して簡易的に考えてみます。使用するBRTはRN1402 (R1=R2=10kΩ) です。データシートに記載されているVCE(sat) – ICカーブを見ます。hFE=IC / IB=20の条件で、IC=10mAのときにVCE(sat)は0.05V~0.06Vであることがわかります。この条件で進めます。
図-2 基本回路図に示す内部ベース電流 Ibは
Ib= IC / hFE =10mA / 20 = 0.5mA
内部のベース電圧Vbeは、簡単のため一般的に使用される0.7Vとします。R2を流れる電流 IR2は
IR2 = 0.7V / 10kΩ = 0.07mA
従って、センター値になりますが、BRTとしてのベース電流 IBは以下になります。
IB = Ib + IR2 =0.57mA
このベース電流 IBとなる入力電圧 VIは
VI = R1 * IB + Vbe = 10kΩ * 0.57mA +0.7 = 6.4V
バラツキや温特などを考慮する必要がありますが、6.4V以上の入力電圧を印加すればVCE=0.2V、IC=10mAは実現できると考えることができます。
実際には6.4V以上の電圧を印加することになると思います。その時の動作を少し述べます。
Characteristic | Symbol | Test Circuit | Test Condition | Min | Typ. | Max | Unit | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Collector-emitter saturation voltage |
RN1401 to 1406 | VCE(sat) | — | IC = 5 mA, IB = 0.25mA |
— | 0.1 | 0.3 | V |
6.4Vより大きな電圧を印加しても問題はありません。トランジスターがより深い飽和(VCE(sat)が低くなる)になるだけです。内部トランジスターのベース・エミッター間電圧は少し上昇しますが、大きな上昇はありません。(参考のために内蔵トランジスターと同等の2SC2712のVBE(sat)-ICカーブ(hFE=10)を図-4掲載します。)BRTがよく使用される範囲(IC=5mA~30mA)でも百mV程度の変化となります。
ベース電圧はほぼ動きませんので、R1の両端の電位差が大きくなりベース電流 ibが増加します。また飽和時のコレクター電流は負荷抵抗などの外部要因によって決まる電流ですが、ほとんど変わりません。従って、ベース電流が増加することにより内蔵トランジスターのhFEがより低下し、飽和が深くなり、VCE(sat)が下がることになります。
飽和が深くなることによりオン⇒オフへ移行する時間が長くなることがあります。この点も注意ください。
入力電圧VIには最大電圧があります。下記のFAQも参考にしてください。