バイポーラートランジスターのベース電流とコレクター電流の関係は？

例えば、2SC2712ではh_FEの規格は表-1に示すとおりです。
この動作をさせるためにトランジスターはエミッター（Ｅ）の不純物濃度 >> ベース（Ｂ）の不純物濃度 > コレクター（C）の不純物濃度とし、ベースを薄くしています。これにより、既定の電圧条件（Ｂ・Ｅ間順バイアス、Ｂ・Ｃ間逆バイアス：活性領域）の時に、Ｂ・Ｅ間がオンして濃度の濃いＥの少数キャリアがＢに流れ込みます。流れ込むキャリア量はB・E間の電圧（ベース電流）によって下げられる障壁高さにより決まります。また、流れ込んだキャリアはベースの少数キャリアと再結合をほとんどせずにＣに流れ込みます。これにより高いh_FEを実現しています。

実際には、h_FEは上記の活性領域でも定量ではなくB・C間の逆バイアスが大きくなるとh_FEが大きくなります。これはB・C間の逆バイアスが大きくなることにより、B・C間の空乏層が広がり、実効的なベースが狭まることによります。これをアーリー効果（ベース変調効果）と呼びます。
また、B・Cが順バイアスとなる飽和領域ではh_FEは低くなります。この領域ではB・E間、B・C間とも順バイアスとなっており、上記で説明したトランジスターの動作ではなく、オン時は抵抗のように動作します。コレクターには過剰なキャリアが滞留します。コレクターキャリアがあることで、低不純物濃度であるコレクター層の抵抗値が下がりトランジスター飽和電圧 V_CE(sat)が下がります。これを伝導度変調効果と呼びます。ただし、この過剰キャリアがあるためにオンからオフへの移行時の時間（蓄積時間）が必要となります。
また図-2に示すように、h_FEは周囲温度の影響を受けます。