SiC MOSFET / MOSFET / IGBT / バイポーラートランジスター
共通
- トランジスターとは
- トランジスターにはどのような種類がありますか？
- トランジスターは電流で駆動しますか、電圧で駆動しますか？
- MOSFETとは？
- IGBTとは？
- J-FETとは？
- バイポーラートランジスターとは？
- 抵抗内蔵トランジスターとは？
- 異品種混載トランジスターとは？
- MOSFETやバイポーラートランジスターのデータシートなどに安全動作領域など出てきます。これは何なのでしょうか？
- トランジスターをダイオードとして使用しても問題ないでしょうか？
- ジャンクションFETを定電流動作で使用できると聞いてますが具体的にはどう使用するのでしょうか？
- ジャンクションFETで良く使用されているインピーダンス変換とはどの様なものですか？
- 熱計算方法は？
- MOSFET、IGBT、バイポーラートランジスターなどにRth(ch-a)、Rth(j-a)の表記が無い製品がありますが、何故ですか？
- 小型パッケージ素子のジャンクション（チャネル）-ケース間熱抵抗がありませんが？
- テーピング（梱包）対応にはどの様な物がありますか？
- MOSFETやバイポーラ－TRなどのデータシートに動作温度がありませんが、どう考えたら良いでしょうか？
SiC MOSFET
MOSFET
- NチャネルMOSFETはどのような動作をしますか？
- スーパージャンクションMOSFETは一般的なD-MOSと何が違いますか？
- MOSFETの容量特性について教えてください。
- MOSFET 電気的特性（静的特性）について IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS
- MOSFET 電気的特性（静的特性）について Vth
- MOSFETのドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)とは何ですか？
- MOSFET 電気的特性（動的特性）について Ciss/Crss/Coss
- MOSFET 電気的特性（動的特性）について tr/ton/tf/toff
- MOSFET 電気的特性（電荷容量特性）について Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS
- MOSFETのボディダイオードはどんな特性を持っていますか？
- MOSFETのデータシートに記載されている最大定格とは何ですか？
- MOSFETの実装時の注意点は？
- 安全動作領域に「オン抵抗制限領域」という破線が記載されているものがありますが、どのような領域でしょうか？
- 絶対最大定格のドレイン電流（DC）（シリコン制限）の意味は何ですか？
- 許容損失の定義は？
- MOSFETのアバランシェとは何ですか？ (アバランシェ耐量)
- 絶対最大定格電圧のアバランシェ耐量の考え方は？
- ゲート・ソース間ツェナーダイオードはサージ吸収用として使用可能ですか？
- 動作温度範囲が無いが？
- ゲート・ソース漏れ電流IGSS が他社品に対し大きいのは何故ですか？
- 容量特性・Qg特性・Sw特性の最大値保証がないが？
- ドレイン・ソース間のボディダイオードを積極的に使用して良いですか？
- パワーMOSFETには大きなドライブ電流は必要ですか？
- MOSFETのオン抵抗に温度特性はありますか？
- MOSと言うと静電気に弱そうなのですが、どの様に静電気対策をしますか？
- MOSFETのドレイン・ソース間に有る寄生ダイオードは、どの様なものですか？
- MOSFETの命名法は？
- 順方向伝達アドミタンス|Yfs|をデータシートに記載していない理由は何ですか？
- MOSFETのチャネル-周囲間熱抵抗Rth(ch-a)はどのように得られますか？
- よくCPUなどゲートドライバー側とMOSFETのゲートの間に抵抗を入れた回路を見ます。この抵抗が必要な理由は何ですか？
- 絶対最大定格のドレイン電流ID・IDPは温度に関わらず一定ですか？
- MOSFETを並列に使用する場合、何に注意すればいいですか？
- MOSFETのオン抵抗を下げるにはゲート電圧は何V印加すればいいですか？
- MOSFETがオフしません。どのように対応すればいいですか？
- MOSFETのロジックレベルゲート駆動とはなんですか？
- MOSFETをロードスイッチとする場合、発生する突入電流をどう低減できますか。
- MOSFETのdv/dtとは何ですか？
- MOSFETをオフしている条件でのドレイン・ソース間に逆電圧を印加する時の注意点は何ですか。
- アバランシェエネルギーを求める方法を教えてください。
- リチウムイオン二次電池保護回路で、なぜ2個直列のMOSFETが必要ですか？
- ボディダイオード電流が必要なアプリケーション用のMOSFETをどう選びますか。
- 安全動作領域をディレーティングするとはどういうことですか？
- チャネルーケース間熱抵抗で定義しているケース温度の測定場所はどこですか？
- ケルビン接続とは何ですか？
- MOSFETのゲートに直列接続する抵抗について教えてください。
- MOSFETの駆動信号において、立ち上がり・立ち下がり時間の注意点はありますか？
IGBT
- IGBTとは何ですか?
- MOSFETとIGBTの違いは何ですか?
- MOSFETとIGBTはどのように使い分けるのですか?
- IGBTの動作原理を教えてください。
- IGBTの構造にはどのような種類がありますか?
- 逆導通IGBT（RC-IGBT)とは何ですか?
- 伝導度変調とは何ですか?
- 安全動作領域とは何ですか?
- IGBTの許容損失の定義を教えてください。
- IGBTのテール電流とは何ですか?
- IGBTの応用例を教えてください。
- IGBTを使ったハードスイッチングとソフトスイッチングについて教えてください。
- IGBTのソフトスイッチング（電圧共振）の動作を教えてください。
- IGBTのソフトスイッチング（電流共振）の動作を教えてください。
- IGBTオフ時のサージ電圧の対策はどのようにしたら良いですか?
- IGBTの並列接続は可能ですか?また、どのような注意が必要ですか?
- IGBTを駆動させるときに、ゲート電圧は何Vを印加すれば良いですか?
抵抗内蔵型トランジスター
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）とは？
- 抵抗のバラツキは？
- 抵抗内蔵トランジスター(BRT)のベースに印加できる最大電圧は何Vですか？ （内蔵されている抵抗の許容損失は何Wですか？）
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）の許容損失の計算方法
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）がオン、オフする電圧は？
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）ベース電流、入力電圧の計算方法（考え方）
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT） hFEについて
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）にはどんな種類がありますか？
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）の選択方法
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）データシートの読み方（電気的特性）
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）はどのように動作しますか？
- 負荷が重くて、VCE(sat)が設計値まで下がりません。何を考えたらよいですか？
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）のスイッチングスピードを速くしたい
- 抵抗内蔵型トランジスター（BRT）のオン時に必要な電圧を得ることができる（オンしたときにコレクター・エミッター間の電圧降下を小さくしたい)
バイポーラートランジスター
- バイポーラートランジスター（BJT）にはどのような種類がありますか？
- バイポーラートランジスター（BJT）にはどのような用途がありますか？
- バイポーラートランジスターのベース電流とコレクター電流の関係は？
- npnトランジスター / pnpトランジスターの動作は？
- バイポーラートランジスターのデータシートの見方
- バイポーラートランジスターの電気的特性について教えてください
- バイポーラートランジスターの電気的特性の測定方法について教えてください
- バイポーラートランジスターをコレクター、エミッター逆接続で使用しても良いのでしょうか？
- バイポーラートランジスターの過渡熱抵抗（過渡熱インピーダンス）と安全動作領域の関係は？
- バイポーラートランジスターのデータシートなどに安全動作領域など出てきます。これは何なのでしょうか？
- バイポーラートランジスター放熱に関する注意は？
- バイポーラ―トランジスターのベースに定格を超えた逆バイアスを印加するとどうなりますか？
- 小信号トランジスターのジャンクション-周囲間熱抵抗Rth(j-a)は？
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