バイポーラートランジスターのベースに定格を超えた逆バイアスを印加するとどうなりますか？

バイポーラートランジスターの濃度はエミッターが最も高く、ベース、コレクターの順になっています。バイポーラートランジスターに対し100倍以上の高濃度になっています。濃度が高くなるほど耐圧は低くなる傾向があります。V_EBOは数Vしかありません。ベースに大振幅の信号を入力する場合など注意が必要です。また、下記の回路など一部の回路では逆バイアスが印加されます。使用する条件など設計時に考慮願います。
単安定マルチバイブレーターなどをバイポーラートランジスターで構成した場合、ベースに定格値（V_BEO）以上のバイアスが印加されることがあります。
図-1にマルチバイブレーターの回路図を示し、動作を説明します。

1. 初期状態としてQ₁がオンしているとします。Q₁のコレクターはGND付近まで電圧が下がっています。
   C₁がR₃を経由して充電、C₂がR₂を経由して充電されます。
2. C₁が充電されQ₂のオン電圧（0.7 V程度）に達するとQ₂がオンします。
   Q₂のコレクター電圧がGND付近まで降下します。この直前C₂の両端の電圧はV_CC – 0.7 Vまで充電されています。
   Q₂のコレクターの電圧が下がっても、C₂の電荷は蓄積したままなので、C₂のQ₁ベース側の電圧は0.7 VーV_CCまで下がることになります。

この動作が繰り返されることで単安定マルチバイブレーターとして動作します。
V_CCが仮に10 Vであれば、Q₁とQ₂のベース・エミッター間電圧として最大定格の -5 Vを超える-9.3 Vが印加されることになります。