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絶対最大定格(表-1)に記載されているエミッター・ベース間電圧 VEBOを超えた電圧(npnは負バイアス、pnpは正バイアス)を印加するとhFEなどの性能が劣化または破壊するおそれが有ります。絶対最大定格をこえる電圧を印加しないでください。
バイポーラートランジスターの濃度はエミッターが最も高く、ベース、コレクターの順になっています。バイポーラートランジスターに対し100倍以上の高濃度になっています。濃度が高くなるほど耐圧は低くなる傾向があります。VEBOは数Vしかありません。ベースに大振幅の信号を入力する場合など注意が必要です。また、下記の回路など一部の回路では逆バイアスが印加されます。使用する条件など設計時に考慮願います。
単安定マルチバイブレーターなどをバイポーラートランジスターで構成した場合、ベースに定格値(VBEO)以上のバイアスが印加されることがあります。
図-1にマルチバイブレーターの回路図を示し、動作を説明します。
この動作が繰り返されることで単安定マルチバイブレーターとして動作します。
VCCが仮に10 Vであれば、Q1とQ2のベース・エミッター間電圧として最大定格の -5 Vを超える-9.3 Vが印加されることになります。
以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。