バイポーラートランジスターとは？

バイポーラートランジスター（Bipolar Junction transistor;BJT）は 接合型トランジスター(pn接合によって構成されたトランジスター)とも呼ばれるトランジスターの一種です。電界効果トランジスター（ユニポーラートランジスター）と異なり、キャリアを2種類(正孔､電子)もつためバイポーラーと呼ばれています。

最初に発明されたトランジスターがバイポーラー型トランジスターであったため、単にトランジスターと言えば、バイポーラートランジスターを指すことがあります。

接合のタイプからnpnとpnpがあります。それぞれのタイプは上下対称のように見えます（例えばベースのP層を挟むコレクターとエミッターはN層で同じに見えます。）が、コレクターとエミッターの濃度は大きく異なり、エミッターの濃度が高くなっています。このため、エミッターとコレクターを反転して使用するとh_FEなどが大きく低下し、トランジスターとして期待する動作を得ることができません。

バイポーラートランジスターはアクティブ領域では基本的にはベースに入力した電流のh_FE倍のコレクター電流を流すデバイスです。このことからアクティブ領域を利用して増幅回路を構成したり、コレクター・エミッター間の抵抗値が低くなる飽和領域と電流を流さない遮断領域を利用してスイッチとして使用されます。