MOSFETとIGBTの違いは何ですか?

順方向特性比較 : IGBT vs. MOSFET

代表的なトランジスターとしてバイポーラートランジスター（BJT）、MOSFETおよびIGBTの3種類があります。各トランジスターの概略性能や特徴の概略を下表に示します。BJTはドライブ回路や保護回路およびスイッチングスピードなどの問題でパワーエレクトロニクス分野のスイッチング応用に殆ど使用されなくなってきており、主にMOSFETとIGBTの2製品群がその特長を生かし使い分けられています。図に30AクラスのIGBTとMOSFET（SJMOS：スーパージャンクションMOSFET）のオン電圧特性を示します。

低電流領域では、MOSFETはIGBTに比較し低オン電圧特性を示しますが、高電流領域ではIGBTが優位となり、特に高温条件下ではその傾向が顕著になります。また、ユニポーラーデバイスであるMOSFETに対しIGBTは、スイッチング損失が大きくなりますので、20 kHz 前後より低いスイッチング周波数で使用されることが多くなっています。

順方向特性比較 : IGBT vs. MOSFET

各種トランジスターの性能比較概要
トランジスターの種類 BJT MOSFET IGBT
ゲート(ベース)ドライブ

電流ドライブ

(低入力インピーダンス)

電圧ドライブ

(高入力インピーダンス)

電圧ドライブ

(高入力インピーダンス)
ゲート(ベース)ドライブ回路 スイッチング用途では煩雑 比較的簡単 比較的簡単
オン電圧特性 低VCE(sat)

オン抵抗 x ドレイン電流

ビルトイン電圧(*1)が無い

低VCE(sat)

ビルトイン電圧(*1)有り
スイッチング時間

遅い

(蓄積キャリア効果有）

超高速

(ユニポーラー素子)

高速

(BJTとMOSFETの中間)
寄生ダイオード 無 有り(Body diode) RC-IGBTのみ有り

(*1) 素子固有の閾値電圧のことで、この場合順方向特性のスレッシュホールド電圧を指す。

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