電源の高効率化に貢献する最新世代プロセスを採用した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET

電源の高効率化に貢献する最新世代プロセスを採用した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET

当社は、データセンターなどの産業機器用スイッチング電源向けに、当社最新世代プロセス[注1]U-MOS11-H (ユー・モス・イレブン・エイチ) を採用した、40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPHR6704RL」を発売しました。

新製品は、従来世代プロセスU-MOSⅨ-Hの40V耐圧製品「TPHR8504PL」と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減[注2]しました。また、同じくTPHR8504PLと比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を約37%低減[注3]することで特性のトレードオフを改善し、業界トップクラス[注1]の低損失を実現しました。さらに、スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧も低減しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。
パッケージは、SOP Advanceとのフットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。

回路設計のサポートツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加え、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。なお、当社Webサイト内のオンライン回路シミュレーターでは、シミュレーション環境の構築や素子モデルをダウンロードする手間を省き、手軽に動作検証を行うことができます。

当社は今後も、電源の効率を高めることができるパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。

[注1] 2026年2月現在、当社調べ。
[注2] 測定条件：VGS=10V、ID=50A (TPHR8504PL)  VGS=10V、ID=75A (TPHR6704RL)
[注3] 測定条件：VDD≃20V、VGS=10V、ID=50A (TPHR8504PL)  VDD≃20V、 VGS=10V、ID=75A (TPHR6704RL)

新製品の主な特長

  1. ドレイン・ソース間オン抵抗を当社従来製品より約21%低減
  2. ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を当社従来製品より約37%低減

特長の解説

1. ドレイン・ソース間オン抵抗を当社従来製品より約21%低減

図 1. ドレイン・ソース間オン抵抗の低減
図 1. ドレイン・ソース間オン抵抗の低減

新製品は、同耐圧の当社従来製品TPHR8504PLと比較して、ドレイン・ソース間オン抵抗を約21%低減しており、スイッチング電源の導通損失の低減に貢献します。

2. ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を当社従来製品より約37%低減

図 2. ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量の低減
図 2. ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量の低減

ドレイン・ソース間オン抵抗の低減だけではなく、ゲート入力電荷量も低減しています。TPHR6704RLは同耐圧の当社従来製品TPHR8504PLと比較して、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を約37%低減しており、スイッチング電源などの応用機器の低損失化、高効率化に貢献します。

アプリケーション

産業用機器

  • データセンター向けスイッチング電源

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番 TPHR6704RL
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) 40
ドレイン電流 (DC) ID (A) Tc=25°C 420
チャネル温度 Tch (°C) 175
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) (mΩ)		 VGS=10V Max 0.67
VGS=4.5V Max 0.97
ゲート入力電荷量 Qg (nC) VGS=10V Typ. 88
ゲートスイッチ電荷量 Qsw (nC) Typ. 24
出力電荷量 Qoss (nC) Typ. 100
逆回復時間 trr (ns) Typ. 73
逆回復電荷量 Qrr (nC) Typ. 106
パッケージ 名称 SOP Advance(N)
サイズ (mm) Typ. 4.9×6.1
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