2SK2232

生産終了予定

パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V)

すべてデータシートアプリケーションノートその他

データシート

2SK2232 データシート/日本語[2009年09月]PDF: 516KB

データシート

2SK2232 データシート/英語[2009年09月]PDF: 450KB

アプリケーションノート

高周波半導体デバイス使用上の注意点[2025年05月]PDF: 664KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

パワー半導体面実装品熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2019年11月]PDF: 1348KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.1[2025年09月]PDF: 3987KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

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電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

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製品概要

極性	N-ch
世代	L²-π-MOSⅤ
RoHS Compatible Product(s) (#)	お問合せください

推奨品

生産終了予定品のため、新規設計にはこれらの製品を推奨します

品番	互換レベル	備考
TK30A06N1	パッケージ同等、特性類似	オン抵抗がやや低いです
TK40A06N1	パッケージ同等、特性類似	オン抵抗がやや低いです

パッケージ

東芝パッケージ名	TO-220NIS
ピン数	3
実装区分	リード挿入

絶対最大定格

項目	記号	値	単位
ドレイン-ソース間電圧	V_DSS	60	V
ドレイン電流	I_D	25	A

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=4V	80	mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=10V	46	mΩ

ご注意

各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。

信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。

本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。

ボディエレクトロニクス

xEV

インフォテインメント

先進運転支援システム(ADAS)

シャーシ

インフラ機器

BEMS/HEMS

FA

業務用機器

IoT機器（エッジデバイス）

ヘルスケア機器

ウェアラブル端末

モバイル

PC関連機器

家庭用電化製品

ディスクリート半導体

ダイオード

トランジスター

汎用ロジックIC

アナログデバイス

デジタルデバイス

無線デバイス

SiCパワーデバイス

フォトカプラー

デジタルアイソレーター

ソリッドステートリレー (SSR)

光伝送モジュール

その他専用IC

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