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新規設計非推奨
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V)
| 用途 | 携帯電子機器 / モータードライブ | 
|---|---|
| 極性 | N-ch | 
| 世代 | U-MOSⅣ | 
| 内部接続 | シングル | 
| AEC-Q101 | 適合(※) | 
| RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり | 
(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。
| 東芝パッケージ名 | PS-8 | 
|---|---|
| 外観 |   | 
| ピン数 | 8 | 
| 実装区分 | 表面実装 | 
| パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) | 2.9×2.8×0.8 | 
| パッケージ寸法図 | 表示 | 
| 参考パッド寸法図 | 表示 | 
| Ultra Librarian® CADモデル (シンボル/フットプリント/3Dモデル) |   UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード | 
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
| 注1 | Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian®によって提供されます。 | 
| 注2 | フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。 | 
| 項目 | 記号 | 値 | 単位 | 
|---|---|---|---|
| ドレイン-ソース間電圧 | VDSS | 40 | V | 
| ゲート-ソース間電圧 | VGSS | +/-20 | V | 
| ドレイン電流 | ID | 6.0 | A | 
| 許容損失 | PD | 1.96 | W | 
| 項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 | 
|---|---|---|---|---|
| ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | 3.0 | V | 
| ゲートしきい値電圧 (Min) | Vth | - | 2.0 | V | 
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=6V | 38.4 | mΩ | 
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 23.8 | mΩ | 
| 入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 600 | pF | 
| ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=10V | 13.1 | nC |