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Knowledge
生産終了予定
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V)
| 用途 | パワーマネジメントスイッチ |
|---|---|
| 極性 | N-ch |
| 世代 | U-MOSⅧ |
| 内部接続 | シングル |
| RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
| 組立て拠点情報 | マレーシア |
| 東芝パッケージ名 | TSON Advance |
|---|---|
| 外観 |
|
| ピン数 | 8 |
| 実装区分 | 表面実装 |
| パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
3.3×3.3×0.85 |
| パッケージ寸法図 | 表示 |
| 参考パッド寸法図 | 表示 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
| 項目 | 記号 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| ドレイン-ソース間電圧 | VDSS | 30 | V |
| ゲート-ソース間電圧 | VGSS | +/-20 | V |
| ドレイン電流 | ID | 85 | A |
| 許容損失 | PD | 35 | W |
| 項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|---|
| ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | 2.3 | V |
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 4.1 | mΩ |
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 2.5 | mΩ |
| 入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 2230 | pF |
| ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=10V | 40 | nC |
PDF: 391KB
lib: 3KB
ZIP: 11KB
