TPN2R503NC

生産終了予定

パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V)

データシート

TPN2R503NC データシート/日本語[2016年05月]PDF: 392KB

データシート

TPN2R503NC データシート/英語[2016年05月]PDF: 271KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年05月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]ZIP: 11KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

データシート

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データシート

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最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

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アプリケーションノート

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ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

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シミュレーションモデル

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製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) お問合せください

パッケージ

東芝パッケージ名 TSON Advance
外観 東芝 TPN2R503NC パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V)製品のTSON Advanceパッケージ画像
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 3.1×3.3×0.85
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 85 A
許容損失 PD 35 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.3 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.3 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 4.1 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 2.5 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 2230 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 40 nC

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2016年05月

2019年02月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

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