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スイッチング電源の高効率化に貢献

MOSFETのスイッチング損失をさらに低減
DTMOSVIシリーズ

高度情報化社会の到来に伴い、日々扱われる情報量は飛躍的に増大し、データセンターや情報通信機器で消費される電力の増加が地球規模で問題となっています。そのため、データセンターや情報通信機器に電力を供給するスイッチング電源の高効率化要求が近年高まっています。
スイッチング電源でのMOSFETの損失は大別するとオン時損失とオンオフ移行時のスイッチング損失がありますが、新世代DTMOSVIシリーズの650V耐圧製品群はオンオフ移行時の損失低減にフォーカスした改善を図っています。特に、オンからオフの切り替えを速くして損失を低減するために、従来世代の600V耐圧製品群と比較し、新世代品はドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量を約40 %低減し[注1]、スイッチング電源の効率を約0.36 %[注2]向上させています。
また、TOLLパッケージは、実装面積が既存パッケージD2PAKと比べ約27 %小型化した表面実装タイプのパッケージです。4端子タイプで、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続できます。これにより、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することが可能となりMOSFETの高速スイッチング性能を引き出し、スイッチング時の発振を抑制します。
当社は、今後も市場動向に合わせてさらにラインアップを拡充し、電源の⾼効率化に貢献します。 

[注1] 新世代DTMOSVIシリーズは “ドレイン・ソース間オン抵抗”דゲート・ドレイン間電荷量” の積を40mΩ×27nC から 210mΩ×7.1nCまで複数パターンを用意しており、パッケージバリエーション含めてお客様の用途・設計コンセプトに適した部品選定が可能です。

[注2] 2021年7⽉時点、当社実測値 (出⼒電⼒2500 W PFC回路で新世代シリーズTK040N65Zと従来シリーズTK62N60Xを⽐較した場合) 

2500 W PFC回路

製品の特長

※   製品名の下に記載の( )はRDS(ON)最大/ID最大を記載

パッケージ

Qgd

 typ.

(nC)

DFN8x8

TO-220SIS

TO-247

TO-247-4L

TOLL

DFN8x8

TO-220SIS

TO-247.png

TO-247-4L

TOLL

8.0×8.0×0.85

10.0×15.0×4.5

15.94×20.95×5.02

15.94×20.95×5.0

9.9×11.68×2.3

TK210V65Z
(0.21Ω/15A)
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TK190A65Z
(0.19Ω/15A)
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TK190U65Z

(0.19Ω/15A)

7.1

TK170V65Z
(0.17Ω/18A)
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TK155A65Z
(0.155Ω/18A)
在庫検索

   

TK155U65Z

(0.155Ω/18A)

8

TK125V65Z
(0.125Ω/24A)
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TK110A65Z
(0.11Ω/24A)
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TK110N65Z
(0.11Ω/24A)
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TK110Z65Z
(0.11Ω/24A)
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TK110U65Z

(0.11Ω/24A)

11

TK099V65Z
(0.099Ω/30A)
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TK090A65Z
(0.09Ω/30A)
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TK090N65Z
(0.09Ω/30A)
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TK090Z65Z
(0.09Ω/30A)
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TK090U65Z

(0.09Ω/30A)

12

   

TK065N65Z
(0.065Ω/38A)
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TK065Z65Z
(0.065Ω/38A)
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TK065U65Z

(0.065Ω/38A)

17

   

TK040N65Z
(0.04Ω/57A)
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TK040Z65Z
(0.04Ω/57A)
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