TK095N65Z5

新製品

パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)

  • 関連リファレンスデザイン(1)

データシート

TK095N65Z5 データシート/日本語[2023年12月]PDF: 611KB

データシート

TK095N65Z5 データシート/英語[2023年12月]PDF: 501KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年08月]ZIP: 11KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 209KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年12月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年12月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2019年11月]PDF: 1348KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

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ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

熱シミュレーションモデル

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信頼性データ[2024年10月]PDF: 209KB

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欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年12月]PDF: 123KB

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製品概要

用途 スイッチングレギュレーター
極性 N-ch
世代 DTMOSⅥ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 TO-247
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 650 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V
ドレイン電流 ID 29 A
許容損失 PD 230 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 4.5 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 95 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 2880 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 50 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 115 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 580 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2024年08月

2024年10月

2024年12月

2024年12月

リファレンスデザイン

基板写真(例)
1.6 kW サーバー用電源 (アップグレード版)
東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12 V 出力1.6 kW サーバー用電源。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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