2SJ168

新規設計非推奨

小信号MOSFET

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データシート

2SJ168 データシート/日本語[2014年03月]PDF: 318KB

データシート

2SJ168 データシート/英語[2014年03月]PDF: 341KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年08月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年03月]mod: 20KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

パワー半導体面実装品熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

カタログ

セレクションガイド小信号 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 8498KB

カタログ

ミニカタログセミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年12月]PDF: 860KB

カタログ

ミニカタログ小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年12月]PDF: 1133KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

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MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

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MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

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降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

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MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

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MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

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製品概要

用途	高速スイッチング / アナログスイッチ
極性	P-ch
内部接続	シングル
RoHS Compatible Product(s) (#)	適合品あり

推奨品

新規設計にはこれらの製品を推奨します

品番	互換レベル	備考
SSM3J168F	パッケージ同等、ほぼ同特性	-

パッケージ

東芝パッケージ名	SOT-346 (S-Mini)
外観
JEITA	SC-59
JEDEC	TO-236MOD
パッケージコード	SOT-346
ピン数	3
実装区分	表面実装
パッケージ寸法幅×長さ×高さ (mm)	2.9×2.5×1.1
パッケージ寸法図	表示
参考パッド寸法図	表示
Ultra Librarian^® CADモデル (シンボル/フットプリント/3Dモデル)	UltraLibrarian^®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注1)(注2)

詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

注1	Ultra Librarian^® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian^®によって提供されます。
注2	フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目	記号	値	単位
ドレイン-ソース間電圧	V_DSS	-60	V
ゲート-ソース間電圧	V_GSS	+/-20	V
ドレイン電流	I_D	-200	mA
許容損失	P_D	0.2	W

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
ゲートしきい値電圧 (Max)	V_th	-	-3.5	V
ゲートしきい値電圧 (Min)	V_th	-	-2.0	V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=10V	2.0	Ω
入力容量 (Typ.)	C_iss	-	73	pF

ご注意

各品番には、複数の製品が存在する場合があります。RoHS Compatible Product(s) (#)欄の「適合品あり」は、適合品が含まれていることをあらわします。
RoHS適合性の情報は、弊社材料調達先から取得した時点の調査回答に基づいて作成しております。また、情報は予告なく変更されることがあります。
本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。

信頼性データは参考情報であり、ご採用およびご使用に関する製品情報は弊社営業窓口までお問い合わせください。

本ウェブサイトに掲載されている品番は、納品の際、品番の末尾に付加情報が追加されるなど品番が異なる場合がございます。詳細は、お取引のございます営業窓口、ご購入先窓口、またはお近くの弊社国内営業窓口までご確認ください。

ボディエレクトロニクス

xEV

インフォテインメント

先進運転支援システム(ADAS)

シャーシ

インフラ機器

BEMS/HEMS

FA

業務用機器

IoT機器（エッジデバイス）

ヘルスケア機器

ウェアラブル端末

モバイル

PC関連機器

家庭用電化製品

SiCパワーデバイス

フォトカプラー

デジタルアイソレーター

ソリッドステートリレー (SSR)

光伝送モジュール

ディスクリート半導体

ダイオード

トランジスター

汎用ロジックIC

アナログデバイス

デジタルデバイス

無線デバイス

高周波ダイオード

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推奨品

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

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技術的なお問い合わせ

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