2SK209

接合形FET (面実装タイプ)

すべて Data sheet Application Note その他

データシート

2SK209 データシート/日本語[2014年03月]PDF: 251KB

データシート

2SK209 データシート/英語[2014年03月]PDF: 282KB

信頼性情報

信頼性データ[2013年12月]PDF: 148KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2021年01月]PDF: 128KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2021年01月]PDF: 111KB

アプリケーションノート

パワー半導体面実装品熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 749KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2019年11月]PDF: 1348KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 810KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

アプリケーションノート

高周波デバイス使用上の注意点[2016年09月]PDF: 1783KB

データシート

2SK209 データシート/日本語[2014年03月]PDF: 251KB

データシート

2SK209 データシート/英語[2014年03月]PDF: 282KB

アプリケーションノート

パワー半導体面実装品熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 749KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

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PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2019年11月]PDF: 1348KB

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U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

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ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

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MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

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降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

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構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

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最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

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電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 810KB

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MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

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熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

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寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

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MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

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MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

アプリケーションノート

高周波デバイス使用上の注意点[2016年09月]PDF: 1783KB

信頼性情報

信頼性データ[2013年12月]PDF: 148KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2021年01月]PDF: 128KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2021年01月]PDF: 111KB

製品概要

用途	汎用
極性	N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#)	適合品あり
組立て拠点情報	日本

パッケージ

東芝パッケージ名	S-Mini
外観
JEITA	SC-59
JEDEC	TO-236MOD
パッケージコード	SOT-346
ピン数	3
実装区分	表面実装
パッケージ寸法幅×長さ×高さ (mm)	2.9×2.5×1.1
パッケージ寸法図	表示
参考パッド寸法図	表示

詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

項目	記号	値	単位
ゲート電流	I_G	10	mA
ゲート-ドレイン間電圧	V_GDS	-50	V

項目

記号

値

単位

ゲート電流

I_G

ゲート-ドレイン間電圧

V_GDS

-50

電気的特性

項目	記号	測定条件	値	単位
順方向伝達アドミタンス (Min)	\|Yfs\|	-	4	mS
ドレイン電流 (Max)	I_DSS	-	14	mA
ドレイン電流 (Min)	I_DSS	-	1.2	mA

ご注意

名称	日付
データシート 2SK209 データシート/日本語 PDF: 251KB	2014年03月
データシート 2SK209 データシート/英語 PDF: 282KB	2014年03月
信頼性情報信頼性データ PDF: 148KB	2013年12月
UPDATED 環境関連情報欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書 PDF: 128KB	2021年01月
UPDATED 環境関連情報 REACH SVHCに関する証明書 PDF: 111KB	2021年01月
アプリケーションノートパワー半導体面実装品熱設計リーフレット2 PDF: 3535KB	2020年12月
アプリケーションノートモーター制御(掃除機) PDF: 2253KB	2020年09月
アプリケーションノート 48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価 PDF: 1567KB	2020年09月
アプリケーションノートパワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算 PDF: 749KB	2020年03月
アプリケーションノートディスクリート半導体熱設計リーフレット PDF: 1747KB	2020年02月
アプリケーションノート共振回路およびソフトスイッチング PDF: 1372KB	2019年11月
アプリケーションノート PFC回路: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1348KB	2019年11月
アプリケーションノート U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1 PDF: 2118KB	2019年06月
アプリケーションノートディスクリート半導体熱設計の勘どころ3 PDF: 3459KB	2019年02月
アプリケーションノート MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊 PDF: 682KB	2018年09月
アプリケーションノート MOSFET 二次降伏(S/B) PDF: 706KB	2018年09月
アプリケーションノート降圧コンバータRCスナバ回路 PDF: 1974KB	2018年09月
アプリケーションノート構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 510KB	2018年07月
アプリケーションノート最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1072KB	2018年07月
アプリケーションノート電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 810KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1128KB	2018年07月
アプリケーションノート熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 946KB	2018年07月
アプリケーションノート寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1492KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1314KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1424KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1467KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 787KB	2018年07月
アプリケーションノートディスクリート半導体熱設計の勘どころ PDF: 1423KB	2018年07月
アプリケーションノートディスクリート半導体の温度算出方法 PDF: 1150KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法 PDF: 648KB	2018年07月
アプリケーションノート MOSFET セルフターンオン現象について PDF: 1550KB	2018年07月
アプリケーションノートディスクリート半導体熱設計の勘どころ2 PDF: 1493KB	2018年07月
アプリケーションノート高周波デバイス使用上の注意点 PDF: 1783KB	2016年09月

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