SSM3K309T

生産終了予定

小信号MOSFET

データシート

SSM3K309T データシート/日本語[2014年03月]PDF: 321KB

データシート

SSM3K309T データシート/英語[2014年03月]PDF: 256KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2025年06月]PDF: 970KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2025年05月]PDF: 734KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2025年05月]PDF: 922KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2025 Rev1.1[2025年05月]PDF: 8535KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

データシート

SSM3K309T データシート/日本語[2014年03月]PDF: 321KB

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SSM3K309T データシート/英語[2014年03月]PDF: 256KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

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セレクションガイド 小信号 2025 Rev1.1[2025年05月]PDF: 8535KB

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セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

製品概要

極性 N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TSM
外観 東芝 SSM3K309T 小信号MOSFET製品のTSMパッケージ画像
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×2.8×0.7
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-12 V
ドレイン電流 ID 4.7 A

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 1.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 0.4 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 47 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 35 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 31 mΩ

ドキュメント

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