SSM6K818R

小型・低オン抵抗MOSFET

  • 関連リファレンスデザイン(1)

製品概要

用途 DC-DCコンバーター / パワーマネジメントスイッチ
特長 低オン抵抗
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TSOP6F
外観 東芝 SSM6K818R 小型・低オン抵抗MOSFET製品のTSOP6Fパッケージ画像
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
Ultra Librarian® CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード<br>*1 *3

UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード
*1 *3

SamacSys CADモデル
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
SamacSysからダウンロード<br>*2 *3

SamacSysからダウンロード
*2 *3

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

*1

Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADモデルライブラリおよびその登録商標です。CADモデル(Symbol/Footprint /3D model)は、Ultra Librarian®によって提供されます。

*2

SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル(シンボル/フットプリント/3Dモデル)はSupplyframe, Inc.によって提供されます。

*3

フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 15 A
許容損失 PD 1.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.1 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.1 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 12
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 8.9
入力容量 (Typ.) Ciss - 1130 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4.5V 7.5 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2022年06月

2022年06月

2024年02月

2025年07月

2026年05月

2026年05月

*

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS 備考 オンラインディストリビューター在庫検索
SSM6K818R,LF 3000 Yes 一般用途

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