SSM6K818R

小型・低オン抵抗MOSFET

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製品概要

用途 DC-DCコンバータ / パワーマネジメントスイッチ
特長 低オン抵抗
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 TSOP6F
外観 TSOP6F
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 15 A
許容損失 PD 1.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.1 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 12
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 8.9
入力容量 (Typ.) Ciss - 1130 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4.5V 7.5 nC
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ドキュメント

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2022年06月

2022年06月

2024年02月

2023年01月

2024年06月

2024年06月

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM6K818R,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM6K818R,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)

(注):詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


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