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参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

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TLP7820

フォトカプラ(アイソレーションアンプ)

製品概要

特長 ΔΣ型AD変換回路 / 光結合型アイソレーションアンプ
用途 サーボモータの電流/電圧検出 / インバータの電流または電圧検出
機能 アイソレーションアンプ
回路数 1
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 日本
安全規格 認定品 : UL 1577 / cUL (CSA Component Acceptance Service No. 5A) / EN 60747-5-5 / EN 60065 / EN 60950-1

*安全規格(UL 1577)のオンライン認証はこちらからご確認ください。
*安全規格(cUL)のオンライン認証はこちらからご確認ください。

パッケージ

東芝パッケージ名 SO8L(LF4)
外観 SO8L(LF4)
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
5.85×11.05×2.1
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 単位
電源電圧 VDD1,VDD2 -0.5 to 6.0 V
動作温度 Topr -40 to 105

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
絶縁耐圧 BVs
@1分間 (Min)
BVS t=60sec 5000 Vrms
コモンモードトランジェント除去能力 (Min) CMTI - 15 kV/μs
コモンモードトランジェント除去能力 (Typ.) CMTI - 20 kV/μs
入力オフセット電圧周囲温度ドリフト(Max) |dVOS/dTa| - 6 μV/℃
入力オフセット電圧周囲温度ドリフト(Typ.) |dVOS/dTa| - 2 μV/℃
ゲインランクA(+/- 1.0%)(Max) G1 Ta=25degC 8.28 V/V
ゲインランクA(+/- 1.0%)(Min) G1 Ta=25degC 8.12 V/V
ゲインランクA(+/- 1.0%)(Typ.) G1 Ta=25degC 8.2 V/V
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Max) G0 Ta=25degC 8.24 V/V
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Min) G0 Ta=25degC 8.16 V/V
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Typ.) G0 Ta=25degC 8.2 V/V
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Max) G3 Ta=25degC 8.44 V/V
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Min) G3 Ta=25degC 7.95 V/V
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Typ.) G3 Ta=25degC 8.2 V/V
入力供給電流 (VDD1)(Max) IDD1 VIN+=0V 12 mA
入力供給電流 (VDD1)(Typ.) IDD1 VIN+=0V 8.6 mA
出力供給電流 (VDD2)(Max) IDD2 VIN+=0V 10 mA
出力供給電流 (VDD2) IDD2 VIN+=0V 6.2 mA
出力ノンリニアリティー (±200mV) (Max) NL200 Ta=25degC
VIN+>=-200mV
VIN+<=200mV
0.13 %
出力ノンリニアリティー (±200mV) (Typ.) NL200 Ta=25degC
VIN+>=-200mV
VIN+<=200mV
0.02 %
伝達遅延時間 (10% - 10%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD10 CL=15pF 2.3 μs
伝達遅延時間 (10% - 10%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD10 CL=15pF 1.9 μs
伝達遅延時間(50% - 50%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD50 CL=15pF 2.6 μs
伝達遅延時間(50% - 50%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD50 CL=15pF 2.3 μs
伝達遅延時間 (90% - 90%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD90 CL=15pF 3.3 μs
伝達遅延時間 (90% - 90%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD90 CL=15pF 2.8 μs
動作電源電圧 (入力側) VDD1 - 4.5 to 5.5 V
動作電源電圧 (出力側) VDD2 - 3.0 to 5.5 V
入力オフセット電圧(Max) VOS Ta=25degC 2.4 mV
入力オフセット電圧(Min) VOS Ta=25degC -0.6 mV
入力オフセット電圧(Typ.) VOS Ta=25degC 0.9 mV
ゲイン周囲温度ドリフト |dG/dTa| - 0.00012 V/V/degC
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名称 日付

2021年04月

2021年04月

 

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TLP7820(A-TP4,E 1500 Yes
TLP7820(B-TP4,E 1500 Yes
TLP7820(D4-TP4,E 1500 Yes
TLP7820(D4ATP4,E 1500 Yes
TLP7820(D4BTP4,E 1500 Yes
TLP7820(TP4,E 1500 Yes


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