特長 | ΔΣ型AD変換回路 / 光結合型アイソレーションアンプ |
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用途 | サーボモーターの電流/電圧検出 / インバーターの電流または電圧検出 |
機能 | アイソレーションアンプ |
回路数 | 1 |
出力方式 | アナログ出力 |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
安全規格 |
認定品 : UL 1577
/ cUL (CSA Component Acceptance Service No. 5A) / EN 60747-5-5 (VDE) / EN IEC 62368-1 (VDE)
*安全規格(UL 1577)のオンライン認証はこちらからご確認ください。 |
東芝パッケージ名 | SO8L(LF4) |
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外観 | |
ピン数 | 8 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
5.85×11.05×2.1 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
CADデータ (シンボル/フットプリント/3Dモデル) |
UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
注 |
Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。 |
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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電源電圧 | VDD1,VDD2 | -0.5 to 6.0 | V |
動作温度 | Topr | -40 to 105 | ℃ |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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絶縁耐圧 BVs @1分間 (Min) |
BVS | t=60sec | 5000 | Vrms |
コモンモードトランジェント除去能力 (Min) | CMTI | - | 15 | kV/μs |
コモンモードトランジェント除去能力 (Typ.) | CMTI | - | 20 | kV/μs |
入力オフセット電圧周囲温度ドリフト(Max) | |dVOS/dTa| | - | 6 | μV/℃ |
入力オフセット電圧周囲温度ドリフト(Typ.) | |dVOS/dTa| | - | 2 | μV/℃ |
ゲインランクA br>(+/- 1.0%)(Max) | G1 | Ta=25℃ | 8.28 | V/V |
ゲインランクA br>(+/- 1.0%)(Min) | G1 | Ta=25℃ | 8.12 | V/V |
ゲインランクA br>(+/- 1.0%)(Typ.) | G1 | Ta=25℃ | 8.2 | V/V |
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Max) | G0 | Ta=25℃ | 8.24 | V/V |
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Min) | G0 | Ta=25℃ | 8.16 | V/V |
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Typ.) | G0 | Ta=25℃ | 8.2 | V/V |
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Max) | G3 | Ta=25℃ | 8.44 | V/V |
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Min) | G3 | Ta=25℃ | 7.95 | V/V |
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Typ.) | G3 | Ta=25℃ | 8.2 | V/V |
入力供給電流 (VDD1)(Max) | IDD1 | VIN+=0V | 12 | mA |
入力供給電流 (VDD1)(Typ.) | IDD1 | VIN+=0V | 8.6 | mA |
出力供給電流 (VDD2)(Max) | IDD2 | VIN+=0V | 10 | mA |
出力供給電流 (VDD2) | IDD2 | VIN+=0V | 6.2 | mA |
出力ノンリニアリティー (±200mV) (Max) | NL200 | Ta=25℃ VIN+>=-200mV VIN+<=200mV |
0.13 | % |
出力ノンリニアリティー (±200mV) (Typ.) | NL200 | Ta=25℃ VIN+>=-200mV VIN+<=200mV |
0.02 | % |
等価入力抵抗 | - | 80 | kΩ | |
伝達遅延時間 (10% - 10%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) | tpD10 | CL=15pF | 2.3 | μs |
伝達遅延時間 (10% - 10%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) | tpD10 | CL=15pF | 1.9 | μs |
伝達遅延時間(50% - 50%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) | tpD50 | CL=15pF | 2.6 | μs |
伝達遅延時間(50% - 50%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) | tpD50 | CL=15pF | 2.3 | μs |
伝達遅延時間 (90% - 90%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) | tpD90 | CL=15pF | 3.3 | μs |
伝達遅延時間 (90% - 90%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) | tpD90 | CL=15pF | 2.8 | μs |
動作電源電圧 (入力側) | VDD1 | - | 4.5 to 5.5 | V |
動作電源電圧 (出力側) | VDD2 | - | 3.0 to 5.5 | V |
入力オフセット電圧(Max) | VOS | Ta=25℃ | 2.4 | mV |
入力オフセット電圧(Min) | VOS | Ta=25℃ | -0.6 | mV |
入力オフセット電圧(Typ.) | VOS | Ta=25℃ | 0.9 | mV |
ゲイン周囲温度ドリフト | |dG/dTa| | - | 0.00012 | V/V/degC |