TLP7820

フォトカプラー(アイソレーションアンプ)

  • 関連リファレンスデザイン(4)

製品概要

特長 ΔΣ型AD変換回路 / 光結合型アイソレーションアンプ
用途 サーボモーターの電流/電圧検出 / インバーターの電流または電圧検出
機能 アイソレーションアンプ
回路数 1
出力方式 アナログ出力
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
安全規格 認定品 : UL 1577 / cUL (CSA Component Acceptance Service No. 5A) / EN 60747-5-5 (VDE) / EN IEC 62368-1 (VDE)

*安全規格(UL 1577)のオンライン認証はこちらからご確認ください。
*安全規格(cUL)のオンライン認証はこちらからご確認ください。

パッケージ

東芝パッケージ名 SO8L(LF4)
外観 SO8L(LF4)
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
5.85×11.05×2.1
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

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絶対最大定格

項目 記号 単位
電源電圧 VDD1,VDD2 -0.5 to 6.0 V
動作温度 Topr -40 to 105

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
絶縁耐圧 BVs
@1分間 (Min)
BVS t=60sec 5000 Vrms
コモンモードトランジェント除去能力 (Min) CMTI - 15 kV/μs
コモンモードトランジェント除去能力 (Typ.) CMTI - 20 kV/μs
入力オフセット電圧周囲温度ドリフト(Max) |dVOS/dTa| - 6 μV/℃
入力オフセット電圧周囲温度ドリフト(Typ.) |dVOS/dTa| - 2 μV/℃
ゲインランクA(+/- 1.0%)(Max) G1 Ta=25℃ 8.28 V/V
ゲインランクA(+/- 1.0%)(Min) G1 Ta=25℃ 8.12 V/V
ゲインランクA(+/- 1.0%)(Typ.) G1 Ta=25℃ 8.2 V/V
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Max) G0 Ta=25℃ 8.24 V/V
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Min) G0 Ta=25℃ 8.16 V/V
ゲインランクB (+/- 0.5%)(Typ.) G0 Ta=25℃ 8.2 V/V
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Max) G3 Ta=25℃ 8.44 V/V
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Min) G3 Ta=25℃ 7.95 V/V
ゲインランク無 (+/- 3.0%)(Typ.) G3 Ta=25℃ 8.2 V/V
入力供給電流 (VDD1)(Max) IDD1 VIN+=0V 12 mA
入力供給電流 (VDD1)(Typ.) IDD1 VIN+=0V 8.6 mA
出力供給電流 (VDD2)(Max) IDD2 VIN+=0V 10 mA
出力供給電流 (VDD2) IDD2 VIN+=0V 6.2 mA
出力ノンリニアリティー (±200mV) (Max) NL200 Ta=25℃
VIN+>=-200mV
VIN+<=200mV
0.13 %
出力ノンリニアリティー (±200mV) (Typ.) NL200 Ta=25℃
VIN+>=-200mV
VIN+<=200mV
0.02 %
等価入力抵抗 - 80
伝達遅延時間 (10% - 10%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD10 CL=15pF 2.3 μs
伝達遅延時間 (10% - 10%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD10 CL=15pF 1.9 μs
伝達遅延時間(50% - 50%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD50 CL=15pF 2.6 μs
伝達遅延時間(50% - 50%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD50 CL=15pF 2.3 μs
伝達遅延時間 (90% - 90%) (Max) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD90 CL=15pF 3.3 μs
伝達遅延時間 (90% - 90%) (Typ.) (V_IN+=0 to 200mV/microsec step) tpD90 CL=15pF 2.8 μs
動作電源電圧 (入力側) VDD1 - 4.5 to 5.5 V
動作電源電圧 (出力側) VDD2 - 3.0 to 5.5 V
入力オフセット電圧(Max) VOS Ta=25℃ 2.4 mV
入力オフセット電圧(Min) VOS Ta=25℃ -0.6 mV
入力オフセット電圧(Typ.) VOS Ta=25℃ 0.9 mV
ゲイン周囲温度ドリフト |dG/dTa| - 0.00012 V/V/degC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2023年07月

2023年01月

2024年12月

2024年12月

オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TLP7820(A-TP4,E 1500 Yes
TLP7820(B-TP4,E 1500 Yes
TLP7820(D4-TP4,E 1500 Yes
TLP7820(D4ATP4,E 1500 Yes
TLP7820(D4BTP4,E 1500 Yes
TLP7820(TP4,E 1500 Yes

リファレンスデザイン

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アプリケーション

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メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
家庭用PVインバーター
家庭用PVインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、コンバーター回路部やインバーター回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
無停電電源装置
無停電電源装置 (UPS) の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、インバーター/コンバーター部、制御部、各種信号伝送部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
IHクッキングヒーター
IHクッキングヒーターの設計では、高電圧対応、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、IHコイル駆動部、モーター駆動部、電流検出部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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