サーバー用1.6kW LLC方式AC-DCコンバーター

データセンターの消費電力抑制を目的にサーバーのバス電圧48V化が進んでいます。
本デザインは48Vサーバー向けのAC-DCコンバーターです。当社最新世代のパワーMOSFET、SiCダイオードを搭載し、AC 100V系/200V系入力からDC 54.5Vを高効率に出力します。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。

基板外観

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特長

  • 80 PLUS Titanium級の高効率 (Vin = 230V時) を1Uサイズで実現
  • 変換効率：96.7% (Vin = 230V、100%負荷)
  • 外形サイズ：317mm x 145mm x 43mm (基板下部の金属板を含む)
  • 最新世代パワー素子 (MOSFET、SiCダイオード) をトータルで提案

概要

入力電圧 AC 90 ～ 264V
出力電圧 DC 54.5V
出力電力 0.8kW (100V系入力時)、1.6kW (200V系入力時)
回路構成 アクティブリッジ+インターリーブPFC＋3相 LLC＋同期整流回路、出力ORing回路
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) アクティブブリッジ回路・4 N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC回路・2 N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) LLC DC-DCコンバーター回路 1次側・6 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-220SIS, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) LLC DC-DCコンバーター回路 2次側・6、ORing回路・1 N-ch MOSFET, 80 V, 0.00243 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅩ-H
SiCショットキーバリアダイオード PFC回路・2 650 V/8 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L
TX03 LLC DC-DCコンバーター 3相制御信号生成部・1

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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