面実装SiC MOSFET搭載 AIサーバー用3kW電源

生成AIの急速な普及により、高い演算性能をもつAIサーバーの需要が高まっています。本デザインは、多くの電力を必要とするAIサーバー向けの3kW電源です。当社面実装SiC MOSFETを搭載し、高電力密度化を実現しています。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。

基板外観
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特長

  • 最新世代パワー素子 (SiC MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案
  • 面実装素子採用により高電力密度を実現 (当社既存デザイン比34%向上)
  • 変換効率：94.8% (Vin = 230V、100%負荷)

概要

入力電源電圧 AC 180 ~ 264V
出力電圧 DC 50V
出力電力 3kW
回路構成 セミブリッジレスPFC、フェイズシフトフルブリッジ＋同期整流回路、出力ORing回路
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基盤はCR5000BDにて設計しています。CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワー SiC MOSFET PFC回路・2 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ω(typ.)@18 V, DFN 8×8, 3rd Gen.
SiCショットキーバリアダイオード PFC回路・2 650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, DFN8×8
パワー SiC MOSFET PSFB回路・4 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(typ.)@18 V, TOLL, 3rd Gen.
パワーMOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) PSFB回路・12 N-ch MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, DSOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) ORing回路・6 N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 Ω@10V, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H
スタンダードデジタルアイソレーター PSFB回路・1 HIGH SPEED QUAD CHANNEL DIGITAL ISOLATORS, High-speed, 150 Mbps, 5000 Vrms, 16pin SOIC Wide body

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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