パワーMOSFET (N-ch 2素子)
用途 | パワーマネジメントスイッチ / リチウムイオン2次電池 |
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極性 | N-ch×2 |
世代 | U-MOSⅧ-H |
内部接続 | ドレインコモン |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
東芝パッケージ名 | TCSPAG-341501 |
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外観 | |
ピン数 | 10 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
3.37×1.47×0.11 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) | VGSS | +/-20 | V |
許容損失 | PD | 1.51 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) | Vth | - | 2.3 | V |