SSM10N961L

新製品

パワーMOSFET (N-ch 2素子)

  • 関連リファレンスデザイン(1)

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ / リチウムイオン2次電池
極性 N-ch×2
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 ドレインコモン
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TCSPAG-341501
外観 TCSPAG-341501
ピン数 10
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
3.37×1.47×0.11
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) VGSS +/-20 V
許容損失 PD 1.51 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) Vth - 2.3 V
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ドキュメント

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2023年09月

2024年04月

2024年04月

オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS 備考
SSM10N961L,ELF 10000 Yes 一般用途

アプリケーション

アクションカメラ
アクションカメラの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、RF回路部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
タブレットデバイス
タブレットデバイスの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源管理部、各種センサー信号入力部、表示部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
スマートウォッチ
スマートウオッチの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、各種センサー信号入力部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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