SSM10N961L

パワーMOSFET (N-ch 2素子)

  • 関連リファレンスデザイン(1)

データシート

SSM10N961L データシート/日本語[2023年06月]PDF: 569KB

データシート

SSM10N961L データシート/英語[2023年06月]PDF: 473KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 304KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年12月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年12月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　東芝MOSFETゲートドライバーICのご紹介[2024年07月]PDF: 934KB

カタログ

ミニカタログ　東芝の回路保護ソリューション&スイッチソリューション[2023年06月]PDF: 630KB

データシート

SSM10N961L データシート/日本語[2023年06月]PDF: 569KB

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SSM10N961L データシート/英語[2023年06月]PDF: 473KB

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製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ / リチウムイオン2次電池
極性 N-ch×2
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 ドレインコモン
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TCSPAG-341501
外観 TCSPAG-341501
ピン数 10
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 3.37×1.47×0.11
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) VGSS +/-20 V
許容損失 PD 1.51 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) Vth - 2.3 V
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2024年09月

2024年12月

2024年12月

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS 備考
SSM10N961L,ELF 10000 Yes 一般用途

リファレンスデザイン

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。開発済みのパワーマルチプレクサー回路リファレンスデザインに、コモンドレインMOSFET応用回路を追加いたしました。当社の多彩な製品ラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・ツェナーダイオードなど最適なデバイスを組み合わせ、BBMとMBBの切り替えを実現したリファレンス回路を提供致します。
詳細

アプリケーション

アクションカメラ
アクションカメラの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、RF回路部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
スマートウォッチ
スマートウオッチの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、各種センサー信号入力部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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タブレットデバイス
タブレットデバイスの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源管理部、各種センサー信号入力部、表示部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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技術的なお問い合わせ

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