SSM3K376R

小型・低オン抵抗MOSFET

データシート

SSM3K376R データシート/日本語[2021年05月]PDF: 332KB

データシート

SSM3K376R データシート/英語[2021年05月]PDF: 239KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2018年04月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]mod: 21KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 8KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年11月]PDF: 327KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

SSM3K376R データシート/日本語[2021年05月]PDF: 332KB

データシート

SSM3K376R データシート/英語[2021年05月]PDF: 239KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2018年04月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]mod: 21KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 8KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年11月]PDF: 327KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

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セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

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セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

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ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

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ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

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製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ / DC-DCコンバーター
極性 N-ch
世代 U-MOSⅦ-H
内部接続 シングル
PPAP 提供可能(※)
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-23F
外観 SOT-23F
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×2.4×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +12/-8 V
ドレイン電流 ID 4.0 A
許容損失 PD 1.0 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 1.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 0.4 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 109 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 72 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 56 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 200 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4.5V 2.2 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2018年04月

2019年02月

2024年02月

2024年11月

2024年11月

2024年11月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM3K376R,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM3K376R,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)
SSM3K376R,LXHF 3000 - Yes Yes 車載用途

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


アプリケーション

監視カメラ
監視カメラの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源供給部、カメラモーション制御部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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