SSM6K513NU

小型・低オン抵抗MOSFET

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データシート

SSM6K513NU データシート/日本語[2024年10月]PDF: 432KB

データシート

SSM6K513NU データシート/英語[2024年10月]PDF: 313KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年10月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]ZIP: 11KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 329KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

SSM6K513NU データシート/日本語[2024年10月]PDF: 432KB

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SSM6K513NU データシート/英語[2024年10月]PDF: 313KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年10月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]ZIP: 11KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 329KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

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セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

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セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

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ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

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ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-1220 (UDFN6B)
外観 UDFN6B
パッケージコード SOT-1220
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.0×2.0×0.75
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 30 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 15 A
許容損失 PD 1.25 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.1 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.1 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 12 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 8.9 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 1130 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4.5V 7.5 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2016年10月

2019年02月

2024年10月

2024年11月

2024年11月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS 備考
SSM6K513NU,LF 3000 Yes 一般用途

アプリケーション

タブレットデバイス
タブレットデバイスの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源管理部、各種センサー信号入力部、表示部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
コードレス電動工具
コードレス電動工具の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、モーター駆動部、動作制御部、電源・充電管理部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
サーモスタット
サーモスタットの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、絶縁部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
アクションカメラ
アクションカメラの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・充電管理部、RF回路部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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技術的なお問い合わせ

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