SSM6N61NU

小信号MOSFET 2 in 1

データシート

SSM6N61NU データシート/日本語[2016年08月]PDF: 445KB

データシート

SSM6N61NU データシート/英語[2016年08月]PDF: 340KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年06月]lib: 3KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

データシート

SSM6N61NU データシート/日本語[2016年08月]PDF: 445KB

データシート

SSM6N61NU データシート/英語[2016年08月]PDF: 340KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年06月]lib: 3KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

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セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

製品概要

用途 DC-DCコンバーター / パワーマネジメントスイッチ
極性 N-ch×2
世代 U-MOSⅦ-H
内部接続 独立
構成要素形名 (Q1) SSM6N61NU
構成要素形名 (Q2) SSM6N61NU
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-1118 (UDFN6)
外観 UDFN6
パッケージコード SOT-1118
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.0×2.0×0.75
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 (Q1/Q2) VDSS 20 V
ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) VGSS +/-8 V
ドレイン電流 (Q1/Q2) ID 4.0 A
許容損失 PD 1.0 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) Vth - 1.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=1.5V 108 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 74 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 45 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 33 mΩ
入力容量 (Q1/Q2) (Typ.) Ciss - 410 pF
ゲート入力電荷量 (Q1/Q2) (Typ.) Qg VGS=4.5V 3.6 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2016年06月

2024年10月

2024年11月

2024年11月

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM6N61NU,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM6N61NU,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


アプリケーション

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ワイヤレスイヤホンの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・電源管理部、サージ・ESD保護回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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