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Dual Active Bridge(DAB)変換方式と1200V SiC MOSFETを採用した5kW絶縁双方向DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
高圧側電圧 | DC 732 ~ 768V |
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低圧側電圧 | DC 396 ~ 404V |
定格電力 | 5.0kW |
回路構成 | Dual Active Bridge(DAB)変換方式 |
デザイン・ドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザイン・ファイルには以下のコンテンツが含まれます。
※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。
※2:CR5000BD上でデータ出力しています。
型番 | 製品 | 搭載部位・数量 | 特長 |
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SiC MOSFET |
高圧側スイッチ・4 |
1200 V/70 mΩ (typ.) @VGS = 20 V/TO-3P(N) |
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MOSFET |
低圧側スイッチ・4 |
650 V/51 mΩ (typ.) @VGS = 10 V/TO-247 |
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TLP5214A | スマートゲートドライバー | ゲート駆動回路・8 | フォトカプラー (IC出力) /沿面空間距離 8 mm/110 ℃ 高温動作/SO16L |
アイソレーションアンプ |
電圧検出・2 |
フォトカプラー (アイソレーションアンプ) /アナログ出力/DIP8 |
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