5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーター

Dual Active Bridge（DAB）変換方式と1200V SiC MOSFETを採用した5kW絶縁双方向DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターの簡易ブロック図です。
簡易ブロック図
これは、5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターの効率カーブです。
効率カーブ

概要

高圧側電圧 DC 732 ~ 768V
低圧側電圧 DC 396 ~ 404V
定格電力 5.0kW
回路構成 Dual Active Bridge（DAB）変換方式

特長

これは、5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターの外観写真です。
  • 変換効率：97% (Vin = 750V、100%負荷)
  • 外形サイズ：565 mm x 360 mm x 270 mm
  • SiC MOSFET、MOSFET、スマートゲートドライバー、アイソレーションアンプをトータルで提案

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デザイン・ドキュメント

デザイン・ドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

名称

デザイン・ファイル

デザイン・ファイルには以下のコンテンツが含まれます。

名称

※1：実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。
※2：CR5000BD上でデータ出力しています。

東芝製品

型番 製品 搭載部位・数量 特長

TW070J120B

SiC MOSFET

高圧側スイッチ・4

1200 V/70 mΩ (typ.) @VGS = 20 V/TO-3P(N)

TK49N65W5

MOSFET

低圧側スイッチ・4

650 V/51 mΩ (typ.) @VGS = 10 V/TO-247
TLP5214A スマートゲートドライバー ゲート駆動回路・8 フォトカプラー (IC出力) /沿面空間距離 8 mm/110 ℃ 高温動作/SO16L

TLP7920

アイソレーションアンプ

電圧検出・2

フォトカプラー (アイソレーションアンプ) /アナログ出力/DIP8

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