5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーター

Dual Active Bridge（DAB）変換方式と1200V SiC MOSFETを採用した5kW絶縁双方向DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターの外観写真です。
TW070J120B TW070J120B TW070J120B TW070J120B TK49N65W5 TK49N65W5 TK49N65W5 TK49N65W5 TLP7920 TLP5214A

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特長

  • 変換効率：97% (Vin = 750V、100%負荷)
  • 外形サイズ：565 mm x 360 mm x 270 mm
  • SiC MOSFET、MOSFET、スマートゲートドライバー、アイソレーションアンプをトータルで提案

概要

高圧側電圧 DC 732 ~ 768V
低圧側電圧 DC 396 ~ 404V
定格電力 5.0kW
回路構成 Dual Active Bridge（DAB）変換方式
これは、5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターの効率カーブです。
効率カーブ

デザインドキュメント

デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

デザインデータ

デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) 低圧側スイッチ・4 N-ch MOSFET, 650 V, 0.057 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ
フォトカプラ(IC出力) ゲート駆動回路・8 Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-4.0 A, 5000 Vrms, SO16L
フォトカプラ(アイソレーションアンプ) 電圧検出・2 Photocoupler(Isolation Amplifier), Analog output, 5000 Vrms, DIP8
パワー SiC MOSFET 高圧側スイッチ・4 N-ch SiC MOSFET, 1200 V, 0.07 Ω(typ.)@20V, TO-3P(N), 2nd Gen.

関連ドキュメント

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