Dual Active Bridge(DAB)変換方式と1200V SiC MOSFETを採用した5kW絶縁双方向DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
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高圧側電圧 | DC 732 ~ 768V |
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低圧側電圧 | DC 396 ~ 404V |
定格電力 | 5.0kW |
回路構成 | Dual Active Bridge(DAB)変換方式 |
デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。
品番 | 製品 | 搭載部位・数量 | 特徴 |
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パワー SiC MOSFET | 高圧側スイッチ・4 | N-ch SiC MOSFET, 1200 V, 0.07 Ω(typ.)@20V, TO-3P(N), 2nd Gen. | |
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) | 低圧側スイッチ・4 | N-ch MOSFET, 650 V, 0.057 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅣ | |
フォトカプラ(IC出力) | ゲート駆動回路・8 | Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-4.0 A, 5000 Vrms, SO16L | |
フォトカプラ(アイソレーションアンプ) | 電圧検出・2 | Photocoupler(Isolation Amplifier), Analog output, 5000 Vrms, DIP8 |